高活性ZnS基和Ag2O半導體的制備及其光催化性能研究.pdf

1、能源短缺和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界關注的焦點。半導體光催化技術作為一種環(huán)境友好型的新技術，在環(huán)境治理，新能源開發(fā)和有機合成等領域日益受到重視。ZnS和Ag2O都是當前半導體光催化的研究熱點。我們分別通過與窄帶隙半導體復合和晶面刻蝕來拓寬材料的光響應范圍，促進光生電子和空穴的分離提高了材料的光催化性能。
　　本研究分為六個部分：第一章介紹了半導體光催化劑的研究現(xiàn)狀和光催化的基本原理，并總結了當前提高半導體光催化活性的幾種方法。并對ZnS

2、和Ag2O半導體的基本性質及其光催化研究現(xiàn)狀進行了總結。提出了本課題的選題依據(jù)和論文主要研究工作。第二章采用簡單的水熱法制備了西蘭花狀ZnS微球，并以ZnS為模板，采用沉淀法制備了ZnS/Ag2O復合物，利用多種測試手段對復合物的特性進行了表征。在氙燈照射下降解亞甲基藍溶液對復合物的光催化性能和穩(wěn)定定性進行了研究。利用自由基清除實驗，確定了復合物光催化過程中的活性物。并提出了一個ZnS/Ag2O復合物光催化的可能機理。第三章采用水熱法和

3、沉淀法結合，制備了ZnS/CuS復合物。ZnS/CuS復合物比純ZnS和CuS表現(xiàn)了很強的光催化活性，循環(huán)性實驗表明復合物的穩(wěn)定性良好。初步猜測了一個可能的復合物光催化機理。第四章以PVP為交聯(lián)劑，水熱法制備了ZnS微球前驅體，通過前驅體，沉淀法制備了ZnS/CdS復合物。對復合物的光催化產(chǎn)氫性能進行了探究， ZnS/CdS復合物表現(xiàn)了良好的產(chǎn)氫性能和穩(wěn)定性。對復合物光催化性能提高的機理進行初步探究。第五章采用室溫沉淀法制備了八面體Ag