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文檔簡介
1、 本文采用微波等離子體化學氣相沉積(MPECVD)方法,制備出高密度(108個/cm2)的尖錐頂端覆蓋有碳化硅(SiC)顆粒的硅納米尖錐陣列,納米尖錐高徑比為40,結(jié)構(gòu)有利于場致電子發(fā)射。同時,提出“納米顆粒自組裝沉積輔以氫氣等離子體刻蝕的機制”對硅納米尖錐形成的機理進行了解釋。 通過氫氣等離子體處理的方法將上述尖錐頂端的SiC顆粒轉(zhuǎn)化為非晶硅(a-Si)顆粒,同時銳化了尖錐。在此基礎上,采用化學腐蝕法獲得了尖錐頂端沒有覆蓋顆粒的
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