微腔內(nèi)半導(dǎo)體量子阱的太赫茲動力學(xué)研究.pdf

1、太赫茲場調(diào)制半導(dǎo)體量子阱的光吸收特性的研究一直是理論和實驗研究的熱點。在太赫茲調(diào)制下的半導(dǎo)體量子阱對探測光場的吸收表現(xiàn)出諸多有意義的物理現(xiàn)象。本文基于薛定諤方程和密度矩陣理論兩套理論分別研究了半導(dǎo)體量子阱在太赫茲調(diào)制下對探測光場的吸收特性研究,研究內(nèi)容與結(jié)論如下:
　　(1)基于薛定諤方程研究了半導(dǎo)體單量子阱在太赫茲光場調(diào)制下的光吸收特性。當太赫茲調(diào)制量子阱時,吸收譜上出現(xiàn)了復(fù)制峰,隨著太赫茲場的頻率增加到近共振時,吸收譜上出現(xiàn)了

2、典型的A-T分裂現(xiàn)象。另外,當降低第二電子子帶的衰減率到0meV時,吸收譜上顯示了典型的電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象。隨著太赫茲場與量子阱之間的耦合系數(shù)的增加,電磁誘導(dǎo)透明的窗口逐漸增大。
　　(2)基于自洽密度矩陣理論,我們研究了不對稱雙量子阱在雙太赫茲光場調(diào)制下的光吸收特性。研究表明,當固定共振太赫茲光場改變另一個太赫茲光場的頻率時,隨著變化太赫茲場的頻率增加,吸收譜上出現(xiàn)了一級A-T分裂、二級A-T分裂現(xiàn)象。在其他因素不變的情況下,增加

3、共振太赫茲光場的強度時,左吸收主峰發(fā)生了紅移現(xiàn)象,右吸收主峰發(fā)生了藍移現(xiàn)象。
　　(3)研究了太赫茲場調(diào)制不對稱雙量子阱的邊帶峰A-T分裂和量子斯塔克效應(yīng)。計算結(jié)果表明,當增加太赫茲光場的強度時,1S、2S/2P激子的吸收主峰發(fā)生了分裂。同時,他們的附屬邊帶峰也隨著主峰發(fā)生了明顯的分裂現(xiàn)象。另外,在固定太赫茲調(diào)制的量子阱上加上一個直流電場,隨著增加直流電場的強度,邊帶峰發(fā)生了明顯的紅移和藍移現(xiàn)象。這些有趣的邊帶峰特性將指導(dǎo)實驗的進