離子束刻蝕制作中階梯光柵研究.pdf

1、本文圍繞全息離子束刻蝕制作閃耀光柵的工藝特點(diǎn)，對(duì)全息離子束刻蝕制作中階梯光柵的具體工藝進(jìn)行深入研究。主要包含了以下幾個(gè)方面的內(nèi)容。
　　首先，介紹了中階梯光柵的特點(diǎn)，以及制作中階梯光柵兩種常用的方法：機(jī)械刻劃和單晶硅濕法刻蝕法。介紹了國(guó)內(nèi)外對(duì)中階梯光柵的研究現(xiàn)狀。并探討了使用離子束刻蝕制作中階梯光柵的意義。
　　簡(jiǎn)要介紹了離子源系統(tǒng)以及模擬離子束刻蝕的線段運(yùn)動(dòng)算法。主要分析了線段算法形成槽形輪廓的過(guò)程、演化進(jìn)程中線段交點(diǎn)的處

2、理方法和處理表面拐角、邊緣時(shí)去點(diǎn)的幾種情況。
　　理論分析了制作55°中階梯光柵所需要同質(zhì)掩模的槽形結(jié)構(gòu)?；谥苯又谱鞔箝W耀角槽形對(duì)同質(zhì)掩模的要求較高且制作難度較大，通過(guò)制作35°閃耀角對(duì)應(yīng)的反閃耀角55°，來(lái)實(shí)現(xiàn)中階梯光柵槽形的制作。
　　詳細(xì)敘述了同質(zhì)掩模制作過(guò)程中的工藝方法。運(yùn)用刻蝕光刻膠和鉻雙層掩模來(lái)制作同質(zhì)掩模,對(duì)比分析了刻蝕鉻掩模的兩種方法：干法離子束刻蝕和濕法腐蝕液腐蝕。實(shí)驗(yàn)中運(yùn)用了反應(yīng)離子刻蝕（RIE）刻蝕雙