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文檔簡介
1、本論文研究在束流密度為20μA/cm2的離子束濺射下,Si(110)表面形貌隨溫度和離子能量的變化;研究離子束濺射下,Si(100)表面形貌隨束流密度的變化;用ES擴散解釋了在高溫下,納米點形狀隨離子能量變化的原因,并且用動力學模型模擬計算了對應不同離子能量的納米點的形狀,其變化趨勢與實驗結果一致,證明在小束流密度下,ES擴散是不可忽略的,實驗結果顯示,通常認為適用于無定型態(tài)材料和半導體材料的B-H模型,并不能適用于所有束流密度。只有在
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