2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩67頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、近幾十年來,以柔性電子技術(shù)為基礎(chǔ)的可穿戴電子產(chǎn)品吸引了越來越多的關(guān)注。柔性電子具有獨(dú)特的可彎折性和延展性,可以耐受多種機(jī)械彎折和形變,良好的適應(yīng)性和貼合性使得其可以被廣泛地應(yīng)用于可穿戴電子領(lǐng)域。聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)具有優(yōu)良的機(jī)械性能、穩(wěn)定的表面化學(xué)性質(zhì),且其耐彎折性好、制造成本低廉,因此是應(yīng)用于柔性電子產(chǎn)品最理想的基材之一。
  當(dāng)前消費(fèi)市場(chǎng)的旺盛需求既為柔性電子技術(shù)的發(fā)展帶來了機(jī)遇,也使之面臨諸多的挑戰(zhàn),PET在被作為

2、柔性基材使用時(shí)常常會(huì)面臨表面難以金屬化和金屬層與基材附著力不佳的問題,如何低成本、高效地在PET基材上制備高質(zhì)量的金屬導(dǎo)電線路,是當(dāng)下柔性電子研究領(lǐng)域的重點(diǎn)。
  本論文在表面改性后的PET基材上采用噴墨打印形成圖形化催化種植層,再進(jìn)行化學(xué)沉積以實(shí)現(xiàn)PET基材表面圖形化金屬布線,主要研究?jī)?nèi)容如下:
  (1)通過自組裝改性手段,使用以氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)和巰丙基三乙氧基硅烷(MPTES)為主要成分的離子吸附溶液,

3、成功地在PET基材上引入了能夠與金屬進(jìn)行化學(xué)結(jié)合的官能團(tuán)(-NH2和-SH),并增大了PET基材表面的粗糙度,為銅的沉積提供了機(jī)械結(jié)合的“錨點(diǎn)”,這將提高金屬銅層與PET基材的附著力。
 ?。?)采用噴墨打印的方式,在改性后的PET基材表面種植含有Ag+的圖形化催化油墨層。經(jīng)過對(duì)比測(cè)試,該圖形化的種植層與改性后的基材具有良好的附著力,為后續(xù)銅的沉積提供吸附中心,以獲得具有良好附著力的銅層。
  (3)利用化學(xué)沉積在圖形化的P

4、ET基材上制備高質(zhì)量的金屬銅層。通過SEM、EDS、XRD和四探針等進(jìn)行表征,所制備的銅層具有致密的形貌、較高的純度和結(jié)晶度,并具有良好的電學(xué)性能(電導(dǎo)率達(dá)到銅塊材的81.44%)和圖形化精度(線寬低至89μm)。同時(shí),金屬層具有優(yōu)異的附著力,達(dá)到ASTM D3359-02標(biāo)準(zhǔn)中最高的5B級(jí)別,其在1000次不同半徑的彎折后依然表現(xiàn)出優(yōu)良的電學(xué)及力學(xué)可靠性。
  上述研究結(jié)果表明,本論文的布線技術(shù)流程簡(jiǎn)單、可靠性高,能夠低成本、高

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論