硅納米線結(jié)構(gòu)的制備及其SERS性能研究.pdf

1、環(huán)境問題和食品安全關(guān)系到每個(gè)人的健康，有關(guān)機(jī)構(gòu)也逐漸加大了監(jiān)管力度，但是大多數(shù)有害物質(zhì)都是微量的，對(duì)檢測(cè)手段要求較高。常規(guī)的檢測(cè)方法或檢測(cè)靈敏度低，或操作復(fù)雜，或引入其他物質(zhì)，而表面增強(qiáng)拉曼散射（SERS）技術(shù)的提出，打破了檢測(cè)技術(shù)的瓶頸，這種方法因其操作簡(jiǎn)單、靈敏度高以及能夠?qū)崿F(xiàn)無損檢測(cè)而被廣泛應(yīng)用，因此尋求有效改善SERS性能的途徑具有積極意義。
　　SERS技術(shù)中起重要作用的是其基底，本文選擇金屬輔助化學(xué)刻蝕（MACE）法制

2、備硅納米線（Si NWs）結(jié)構(gòu)，隨后用銀納米顆粒修飾其表面，形成銀修飾硅納米線（Ag@Si NWs）復(fù)合結(jié)構(gòu)，最后研究Si NWs各形態(tài)參數(shù)對(duì)Ag@Si NWs復(fù)合基底SERS性能的影響。
　　首先通過浸鍍法在硅表面沉積銀納米顆粒，表征結(jié)果可以看出：隨著沉積時(shí)間的增加，銀納米顆粒的尺寸逐漸增大；高溫退火處理可以使銀納米顆粒的分布更均勻。
　　其次以銀納米顆粒為催化劑，采用MACE法制備Si NWs結(jié)構(gòu)，研究發(fā)現(xiàn)刻蝕液配比、刻

3、蝕時(shí)間、刻蝕溫度和硅基底晶向等因素均會(huì)影響Si NWs結(jié)構(gòu)的形貌，通過調(diào)節(jié)這些因素，可以得到線高度、線直徑、線間距以及線方向不同的Si NWs結(jié)構(gòu)。
　　最后以不同形貌的Si NWs結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，采用磁控濺射法在其表面修飾相同厚度的銀納米顆粒，形成Ag@Si NWs復(fù)合結(jié)構(gòu)，并對(duì)10-5 M R6G溶液的拉曼信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)線直徑和線間距對(duì)基底的SERS性能影響較大，因此調(diào)節(jié)線直徑與線間距比值是有效改善Ag@Si NWs基底SER