銅-硅納米線陣列(Cu-SiNWs)的制備及其SERS基底性能的研究.pdf

1、拉曼光譜技術(shù)可以用于檢測(cè)分析物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)以及組成信息，該技術(shù)具有靈敏度高、對(duì)樣品無(wú)損害的特點(diǎn)，在生物信息、化學(xué)、環(huán)境等各大領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，表面增強(qiáng)拉曼光譜（Surface-Enhanced Raman Scattering，SERS）技術(shù)得以迅速發(fā)展，由此擴(kuò)寬了拉曼光譜的應(yīng)用范圍。SERS技術(shù)具有檢測(cè)限度低、無(wú)損、高效和可重復(fù)等優(yōu)點(diǎn)，在過(guò)去的幾十年里獲得了廣泛的關(guān)注。它在分析化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境保護(hù)及痕量檢測(cè)方

2、面都發(fā)揮了重要的作用。所以，研究性價(jià)比更高、制作工藝更簡(jiǎn)單的SERS基底成為SERS技術(shù)發(fā)展的迫切需要。本文針對(duì)銅硅納米線陣列的制備及其SERS基底性能進(jìn)行研究。主要內(nèi)容如下：
　　首先，對(duì)表面增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù)進(jìn)行了闡述，并對(duì)其增強(qiáng)機(jī)理進(jìn)行解釋。拉曼增強(qiáng)的關(guān)鍵技術(shù)是活性基底的制備，因此，本文研究設(shè)計(jì)了新的活性基底，探索其增強(qiáng)機(jī)理以便制備工藝簡(jiǎn)單、性價(jià)比更高的SERS基底。
　　其次，本文使用化學(xué)刻蝕法對(duì)硅納米線進(jìn)行制備，研究

3、納米線生長(zhǎng)情況與刻蝕時(shí)間的關(guān)系；同時(shí)分析了硅納米線形貌的影響因素。
　　最后，以硅納米線為模板設(shè)計(jì)了一種新型的活性基底（Cu-SiNWs，銅硅納米線陣列）。硅納米線是一種半導(dǎo)體納米材料，本身就具有一定的拉曼增強(qiáng)效果，在納米線結(jié)構(gòu)上修飾以銅納米顆粒，利用探針?lè)肿樱≧6G）來(lái)檢測(cè)其增強(qiáng)效果。并對(duì)納米線長(zhǎng)度、銅納米顆粒大小對(duì)SERS性能的影響進(jìn)行探究。
　　該活性基底具有制備簡(jiǎn)單、增強(qiáng)活性好并且具有一定穩(wěn)定性的特點(diǎn)，作為一種新型活