高壓大容量IGBT測試技術及測試平臺的研究.pdf

1、電力電子技術是以電力電子器件為基礎，電力電子器件決定電力電子裝置的發(fā)展及其應用水平。在所有的功率半導體器件中，IGBT無疑是近年來電力電子領域中最令人注目及發(fā)展最快的一種。而建立適合高壓大容量IGBT器件和模塊的測試平臺，探索一整套的測試方法和檢驗標準，不僅對評估器件、模塊自身的性能意義重大，對器件和模塊的應用也是必不可缺的環(huán)節(jié)。然而，功率器件測試平臺這一領域依然被國外廠商所壟斷，國內尚沒有具有廣泛行業(yè)認可度的產品出現(xiàn)。因此，探索并建立

2、一套支撐相關課題研究的高壓大容量功率半導體器件公共測試平臺，突破國外在該領域的壟斷和制約，對我國大功率電力電子器件的發(fā)展十分必要。
　　IGBT相關參數(shù)可分為靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)兩大類，其中靜態(tài)參數(shù)測試包括門極參數(shù)VGE(th)（開啟電壓）、VGES（門極擊穿電壓）、I∞（門極漏電流）、功率端參數(shù)VCES（集電極發(fā)射極間耐壓）、ICES（集電極發(fā)射極間漏電流），寄生電容:Cies輸入電容、C∞s轉移電容、Co骼輸出電容，VCE(sa

3、t)飽和導通壓降，以及以上參數(shù)的相關特性曲線的測試。動態(tài)參數(shù)測試包括td(on)（導通延遲時間）、tr（上升時間）、o∞（關斷延遲時間）、tf（下降時間）、Eon（開通損耗）、Eoff（關斷損耗）、Id反向恢復電流）、H反向恢復時間）以及Err（反向恢復能量）等動態(tài)特性的測試。
　　本文首先介紹了IGBT動靜態(tài)參數(shù)的測試方法，并針對靜態(tài)輸出曲線的測試提出了一種簡單、方便的測試方案。在此基礎上，本文對動靜態(tài)參數(shù)的自動測試平臺的詳細設