硅凝固生長過程中孿晶和位錯形成與演變模擬研究.pdf

1、多晶硅太陽能電池因生產(chǎn)成本低和光電轉(zhuǎn)換效率較高而成為光伏市場主流。但多晶硅太陽能電池因位錯等晶體缺陷的存在，比單晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率要低。降低定向凝固多晶硅中位錯等缺陷密度成為業(yè)界努力的目標之一，然而實驗上尚難以在硅晶體生長過程之中觀測分析缺陷的形成，對缺陷形成機理缺乏深入的認識。本文運用分子動力學模擬方法，硅原子間相互作用采用Tersoff勢函數(shù)進行計算，就多晶硅中位錯和孿晶這兩類最重要的晶體缺陷開展了模擬研究。
　　本研

2、究主要內(nèi)容包括：⑴硅生長孿晶形成于{111}密排面上，是一個在密排面上HCP結(jié)構(gòu)和FCC結(jié)構(gòu)競爭生長，且HCP結(jié)構(gòu)逐漸占優(yōu)直至占據(jù)整個區(qū)域的過程。能量分析發(fā)現(xiàn)，硅原子在{111}密排面上的錯排能非常低，生長過程兩種結(jié)構(gòu)同時出現(xiàn)的概率非常高。當硅晶體沿{111}面生長時，固液界面保持穩(wěn)定并為密排面，形成孿晶概率最高；沿(110)和(112)面生長時，固液界面均會轉(zhuǎn)化成被{111}小面包圍的之字型界面，孿晶在{111}小面上形成，形成概率比

3、沿{111}面生長時低；沿(100)面生長時，固液界面穩(wěn)定，未能形成{111}小面，整個生長過程中也沒有形成孿晶。⑵硅晶體生長過程中位錯的形核是伴隨在孿晶的形成過程之中，在{111}小面上競爭生長的HCP結(jié)構(gòu)和FCC結(jié)構(gòu)之間容易形成位錯。不同面位錯形核的難易程度由大到小的順序為：(100)面>(110)面>(112)面>(111)面。硅晶體沿相同晶面生長時，生長溫度越高，位錯越難形成。⑶硅晶體生長過程中易形成三種位錯，它們是伯氏矢量為1

4、/6<112>、1/12<111>的不全位錯和1/6<110>梯桿位錯。這些位錯在晶體生長過程中伴隨著分解和合成復(fù)雜變化，如伯氏矢量為1/2<110>的全位錯會分解為兩個伯氏矢量為1/6<112>的不全位錯；伯氏矢量1/6<112>的不全位錯仍會分解為亞穩(wěn)態(tài)的1/12<111>的不全位錯；而兩個伯氏矢量為1/6<112>的不全位錯會合成一個伯氏矢量為1/6<110>的梯桿位錯。⑷位錯形成后會反作用于硅晶體的生長過程。當硅晶體沿(110)