基于GaN材料的寬帶功率放大器的研究.pdf

1、隨著以GaN材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，GaN HEMT以其禁帶寬度寬、熱傳導(dǎo)率高、擊穿場強高和峰值電子漂移速度高等優(yōu)異的性能而廣受關(guān)注。而基于GaN材料的寬帶功率放大器更是在無線通信系統(tǒng)、無線局域網(wǎng)絡(luò)和電子對抗、雷達(dá)系統(tǒng)等中廣為應(yīng)用。如今各種民用和軍用領(lǐng)域的應(yīng)用系統(tǒng)對微波功率放大器模塊的性能指標(biāo)要求越來越高，特別是在寬帶寬、高效率、高線性度等方面，因此當(dāng)下寬帶功率放大器已經(jīng)成為一個熱門的研究方向。本論文的工作是研究基于GaN材

2、料的寬帶功率放大器，研究的工作主要有以下幾點：
　　1.梳理寬帶功率放大器的基礎(chǔ)理論知識。在查閱國內(nèi)外寬帶功率放大器的研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，整理出寬帶功率放大器的幾種常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并從這些文獻(xiàn)的查閱整理中得出本課題的設(shè)計思路。
　　2.設(shè)計一款L波段寬帶功率放大器，該寬帶功率放大器采用多枝節(jié)T型匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行阻抗匹配。在0.8～2GHz的工作頻帶內(nèi)，輸出功率大于60W，功率附加效率大于45％，大信號增益大于8dB，增益平坦度小于