聚硅烷@MoS2納米材料電子結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性的理論研究.pdf

1、半導(dǎo)體工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路規(guī)模的迅速更迭，集成度的不斷減小促使我們不得不拿出足夠的精力來應(yīng)對電子器件的持續(xù)微型化，同時也促使我們不得不時時刻刻探究、研發(fā)新材料。MoS2以其優(yōu)異的半導(dǎo)體性質(zhì)，被寄予希望延續(xù)莫爾定律的材料。相比于石墨烯的零能帶隙，MoS2存在可調(diào)控的能隙，相比于硅基材料的三維體相結(jié)構(gòu)，MoS2是二維層狀結(jié)構(gòu)，可用來制造規(guī)格更小、能效更高的半導(dǎo)體芯片，將在新一代的納米設(shè)備中得到更廣泛的應(yīng)用。
　　為了研發(fā)一種新型的

2、更有價值的功能材料，通過建立（15，0）的MoS2納米管，進(jìn)而構(gòu)建未摻雜的PSi@MoS2以及B、P摻雜的PSi@MoS2（PSi指的是聚硅烷）復(fù)合納米材料，利用密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)的方法對這些結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究。我們發(fā)現(xiàn)通過金電極夾層復(fù)合納米材料形成的雙探針體系輸運性質(zhì)與他們相應(yīng)的周期性體系的電子結(jié)構(gòu)保持高度的一致。封裝未摻雜的以及B、P摻雜的PSi到MoS2納米管沒有顯著地影響MoS2納米管的電子結(jié)構(gòu)和輸運性質(zhì)。對于B摻雜來說，根