ba(zr0.2ti0.8)o3介質(zhì)薄膜生長及mn摻雜效應(yīng)研究

1、 電 子 科 技 大 學(xué) UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA 碩士學(xué)位論文 MASTER DISSERTATION 論 文 題 目：Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 介質(zhì)薄膜生長 介質(zhì)薄膜生長 及 Mn 摻雜效應(yīng)研究 摻雜效應(yīng)研究 學(xué) 科 專 業(yè)：電子信息材料與元器件 電子信息材料與元器件 指 導(dǎo) 教 師： 張鷹 張鷹 教授 教授

2、 作 者 姓 名： 接文靜 接文靜 班 學(xué) 號： 200520304029 獨 創(chuàng) 性 聲 明 本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使

3、用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。 簽名： 日期： 年 月 日 關(guān)于論文使用授權(quán)的說明 本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮