銅表面級蝕劑分子的表面增強拉曼光譜及電化學研究

1、上海師范大學碩士學位論文銅表面級蝕劑分子的表面增強拉曼光譜及電化學研究姓名：潘英騁申請學位級別：碩士專業(yè)：分析化學指導(dǎo)教師：楊海峰20120315摘要 上海師范大學碩上學位論文A P T D 分子膜對金屬銅具有良好的防腐性能，其防腐效率可以達到9 3 ．1 ％。S E R S 研究證明4 - A P T D 分子以C 2 ，N 3 和N 1 2 原子為位點以斜躺的方式吸附在銅電極表面。電化學原位S E R S 證明了，當電位由．0 ．2

2、 V 到．0 ．6 V 的過程中，4 ．A P T D 分子的吸附構(gòu)型發(fā)生了改變。3 ．通過E I S ，電化學極化曲線和S E R S 討論了4 ．甲基．4 H ．3 ．巰基．1 ，2 ，4 一三氮唑( M T T L ) 在銅表面的自組裝分子層的電化學緩蝕性能。修飾M T T L 分子后銅電極的E I S 機理通過R ( Q R ) ( Q R ) ( C R ) 等效電路擬合。電化學極化曲線實驗結(jié)果表明M T T L 的防腐效率可

3、達到8 1 ．1 ％。S E R S 實驗證明M T T L 分子以傾斜的構(gòu)型通過S 6 和N 2 原子與銅表面產(chǎn)生強烈的相互作用，并且在．0 ．5 V 電位下，存在只以S 6 為位點的吸附過渡態(tài)。4 ．E I S 和電化學極化曲線證實，修飾甲基咪唑( M M I ) 后銅表面的防腐性得到了改善。修飾M M I 后銅電極的E I S 原理與等效電路R ( Q ( I 涮) ) ( C R ) 一致。電化學極化曲線實驗結(jié)果表明M M I

4、對銅的防腐效率可達到9 1 ．2 ％。S E R S 結(jié)果證明，M M I 自組裝到銅表面并與之產(chǎn)生強烈作用，表現(xiàn)為以s 6 和N 2 原子為位點穩(wěn)定吸附在表面。原位電化學S E R S 表明，電位由0 到．1 ．6 V 變化時，M M l 分子膜的穩(wěn)定性隨之改變。關(guān)鍵詞：甲基咪唑( M M I ) ，2 - 氨基- 5 - ( 4 一吡啶) - 1 ，3 ，4 噻二唑( 4 ．A P T D ) ，4 ．甲基．4 H 一3 ．巰基．1