2176;gaas襯底生長高質(zhì)量gap外延層的研究

1、分類號：—立盟一U D C ： 5 3 5 X 竺玉癯2 。G a A s 襯底生長高質(zhì)量G a P 外延層的研究2 。G A A SS U B S T R A T E F O R T H E G R O W T H O F H I G H Q U A L I T YG A P E P I T A X l A L L A Y E R R E S E A R C H學(xué)位授予單位投代碼：量蠶堡至丕堂I ! Q ! 逝2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：

2、盤生 ! Q Z Q 2 Q 2 1研究方向：邀盤塑堡生塹型邀盤整 申請學(xué)位級別： 亟±指導(dǎo)教師：王玉耍熬籃 研 究 生： 呈王墼論文起止時間：墊地旦= 墊且』生一摘 要本論文主要討論2 。G a A s } } 底如何生長高質(zhì)量G a P 外延層。研究了G a P 在G a A s襯底上的M O C V D 生長和性質(zhì)表征．主要包括G a P 作為電流擴展層存在的問題、G a P生長溫度和高溫高速等層的生長速率對G a P

3、薄膜的表面形貌、生長模式和晶體質(zhì)量的影響，G a P 的光電性質(zhì)以及與結(jié)構(gòu)質(zhì)量的關(guān)系；應(yīng)用X R D 測試搖擺曲線的半高寬，使用高倍顯微鏡觀看晶體表面質(zhì)量。并初步確定了G a A s 上G a P 在高溫的情況下的生長模式。最終我們得到一定范圍內(nèi)生長溫度越高，生長速率越慢，G a P 表面質(zhì)量越好的結(jié)論。通過細致分析G a P 的X R D 搖擺曲線半高寬和晶體表面質(zhì)量，優(yōu)化G a P 外延層生長，為生長高質(zhì)量的G a P 外延層提供了