0.11μm512兆位可編程存儲器產(chǎn)品開發(fā)

1、r l羔 1 0 2 1 7 2 9袒旦大擎學(xué)校代碼：1 0 2 4 6學(xué) 號：0 4 3 0 5 2 0 12碩 上 學(xué) 位 論 義( 專業(yè)學(xué)位)0 ．1 1 』lm5 1 2 兆位可編程存儲器產(chǎn)品開發(fā)院系( 所) ：信息科學(xué)與：r 程學(xué)院專女} ：業(yè)： l b 了’』通信工程沈安星指導(dǎo)教師：李炳宗教授張有：藍(lán)副總完成I I 期： 2 0 0 6 年1 0 月2 2摘 要存儲器芯片按存取方式( 讀寫方式) 可分為隨機(jī)存取存儲器芯片(

2、R A M ) 和只讀存儲器芯片( R o M ) 。按照不同的技術(shù)，存儲器芯片可以細(xì)分為E P R O M 、E E P R O M 、s R A M 、D R A M 、F L A s I { 、M A S KR o M 和F R A M 等。存儲器的發(fā)展都具有容量更大、線寬更小、功耗更低的趨勢。本課題研究的產(chǎn)品“0 ．1 1 um5 1 2 兆位可編程存儲器”是由日本某公司進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)，由宏力半導(dǎo)體公司進(jìn)行制程研發(fā)。該日本公司的可

3、編程存儲器產(chǎn)品主要應(yīng)用在游戲機(jī)，打印機(jī)，電子詞典，玩具等上面，它的市場占有率達(dá)到2 8 ％，它的主要競爭對手有M a c r o n i x ，s a m s u n g ，N E c 等等，它的可編程存儲器產(chǎn)品的特點(diǎn)是“高集成度和低制造成本”。該可編程存儲器是可擦可編程只讀存儲器即E p R o M ( E r a s a b l e P r o g r 劬珈a b l eR e a d —O n l yM e I f l o r y

4、 ) ，它使用傳統(tǒng)的u V —E P R o M 操作技術(shù)，以c H E ( 熱電子通道) 方式輸入程式并且以紫外線( U v ) 抹除。本論文著重從該產(chǎn)品研發(fā)過程中選取三個(gè)主要的合格率提升工藝突破點(diǎn)來進(jìn)行研究。首先研究了應(yīng)用相移掩模光刻技術(shù)，更大程度上增加浮柵( F l o a t i 艘G a t e ) 寬度( P s M 比B i n a r y 寬1 0 n m ) ，從而增加禍合系數(shù)( c o u p l i n g R a

5、 t i o ) ，顯著地改善了編程( P r o g r a f l l ) 特性，c P l 合格率至少提高了1 5 ％，達(dá)到大于8 0 ％的較好水準(zhǔn)。其次，研究和利用硅鎢化物結(jié)晶和氧化溫度特性的理論，M O x 步驟進(jìn)爐溫度從7 0 0。c 提升到8 0 0 。c ，有效地解決了大量缺陷，c P 2 合格率提升了’1 0 ％，達(dá)到了> 9 5 ％的要求。再次，我們對紫外光刪除浮柵( F l o a t i n g G a t

6、 e ) 電荷的性能進(jìn)行了研究。比較分組試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)沒有沉積鈍化膜紫外氮化硅的硅片和鈍化膜用氮氧化硅代替紫外氮化硅的硅片紫外光照射去除浮柵( F l o a t i n gG a t e ) 電荷能力最強(qiáng)，其次是金屬線寬比較小的硅片?？v觀該產(chǎn)品研發(fā)過程，盡管這顆產(chǎn)品是0 ．1 1 um 線寬技術(shù)，存儲密度是5 1 2 M ，每片8 時(shí)硅片只有2 2 4 個(gè)芯片，技術(shù)難度相當(dāng)大，但是在日本某公司相關(guān)研發(fā)人員和宏力半導(dǎo)體公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的共同努