單相交流調(diào)壓電路課程設計(1)

1、單相交流調(diào)壓電路的設計1單相交流調(diào)壓電路設計任務及設計目的單相交流調(diào)壓電路設計任務及設計目的................................................................21.1電路設計任務....................................................21.2電路設計目的......................................

2、..............21.3主電路的原理分析................................................21.4主電路器件的選擇................................................22設計方案及選擇設計方案及選擇......................................................................

3、..................................43單相交流調(diào)壓電路的設計單相交流調(diào)壓電路的設計........................................................................................53.1主電路的設計....................................................53.2控制電路的設計.

4、.................................................63.2.1觸發(fā)信號的種類................................................63.2.2觸發(fā)電路設計..................................................63.2.3總的電路圖.....................................

5、...............74單相交流調(diào)壓電路仿真結(jié)果及結(jié)果分析單相交流調(diào)壓電路仿真結(jié)果及結(jié)果分析................................................................84.1仿真結(jié)果........................................................84.2結(jié)果分析.................................

6、......................115單相交流電壓電路設計總電路圖單相交流電壓電路設計總電路圖..........................................................................1212總結(jié).......................................................................................

7、...............................1313參考文獻參考文獻......................................................................................................................1414流或低電壓大電流之流電源中，也常采用交流調(diào)壓電路調(diào)節(jié)變壓器一次電壓。本次課程設計主要是研究單相交流調(diào)壓電路的設

8、計。由于交流調(diào)壓電路的工作情況與負載的性質(zhì)有很大的關(guān)系，本次實驗對阻感負載予以重點討論。圖中的2個晶閘管也可以用一個雙向晶閘管代替。在交流電源u1的正半周和負半周，分別對2個晶閘管的移相控制角進行控制就可以調(diào)節(jié)輸出電壓。單相交流調(diào)壓電路的主電路圖如下圖圖11B單相交流調(diào)壓主電路1.51.5主電路器件的選擇主電路器件的選擇主電路中所用到得器件比較少，主要是200V單相交流電源，2個反并聯(lián)的晶閘管，還有一個阻感負載。其中2反并聯(lián)的晶閘管可用

9、一個雙相晶閘管代替，阻感負載可以用一個電阻和一個電感串聯(lián)，也可以用一個串聯(lián)諧振代替2個反并聯(lián)的晶閘管。晶閘管的選擇：1選擇正反向電壓可控硅在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽(A)一一陰(K)極之間加(J2)處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷突然轉(zhuǎn)為導通，這個VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓(VDRM

10、)。在陽一一陰極之間加上反向電壓時，器件的第一和第三PN結(jié)(J1和J3)處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當加大反向電壓達到一定值VRB時可控硅的反向從阻斷突然轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)，此時是反向擊穿，器件會被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關(guān)斷的時候會產(chǎn)生很高的電壓(∈=Ldidt)，如果電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞可控硅器件。因此，器件也必須有足夠的反向耐壓VRRM?？煽毓柙谧?/p>