2014版電子技術(shù)本科電氣化專業(yè)網(wǎng)上作業(yè)題

1、1東北農(nóng)業(yè)大學(xué)網(wǎng)絡(luò)教育學(xué)院東北農(nóng)業(yè)大學(xué)網(wǎng)絡(luò)教育學(xué)院電子技術(shù)電子技術(shù)II本科網(wǎng)上作業(yè)題本科網(wǎng)上作業(yè)題半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件一、一、判斷題判斷題1晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成，所以能用兩個(gè)二極管反向連接起來(lái)充當(dāng)晶體管使用。()2因?yàn)榫w管發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度比基區(qū)的雜質(zhì)濃度小得多，所以能用兩個(gè)二極管反向連接起來(lái)代替晶體管。()3二極管加反向電壓時(shí)，反向電流很小，所以晶體管的集電結(jié)加反向電壓時(shí)，集電極電流必然很小。()4N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，因此

2、N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。()5二極管是根據(jù)PN結(jié)單向?qū)щ姷奶匦灾瞥傻模虼硕O管也具有單向?qū)щ娦浴?√)6當(dāng)二極管加反向電壓時(shí)，二極管將有很小的反向電流通過(guò)，這個(gè)反向電流是由P型和N型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成的。(√)7二極管的電流—電壓關(guān)系特性可大概理解為反向?qū)ā⒄蚪刂沟奶匦浴?)8若晶體管發(fā)射結(jié)處于正向偏置，則其一定處于截止?fàn)顟B(tài)。()9空穴和自由電子一樣，都是載流子。(√)10在外電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中會(huì)同時(shí)出現(xiàn)電子電流和空穴電

3、流。(√)11常溫下，硅晶體管的UBE＝07V，且隨溫度升高UBE增加。()12穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電流是指穩(wěn)壓管工作時(shí)允許通過(guò)的最大電流。超出此值，穩(wěn)壓管將損壞。()13P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中，加入少量的五價(jià)元素構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。()14在N型半導(dǎo)體中，自由電子的數(shù)目比空穴數(shù)目多得多，故自由電子稱為多數(shù)載流子，空穴稱為少數(shù)載流子。(√)15在P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。()16當(dāng)外加反向電壓增加時(shí)，PN結(jié)的結(jié)電容

4、減小。(√)17一般來(lái)說(shuō)，硅二極管的死區(qū)電壓小于鍺二極管的死區(qū)電壓。()18晶體管的基區(qū)之所以做得很薄，是為了減少電子和空穴在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，從而使由發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的載流子，絕大部分能進(jìn)入集電區(qū)而形成較大的集電極電流。(√)19當(dāng)外加電壓為零時(shí)，PN結(jié)的結(jié)電容最小。()20當(dāng)反向電壓小于反向擊穿電壓時(shí)二極管的反向電流極??；當(dāng)反向電壓大于反向擊穿電壓后，其反向電流迅速增大。(√)21工作在導(dǎo)通狀態(tài)下的二極管，其靜態(tài)電阻是固定不變的，但動(dòng)態(tài)

5、電阻則隨工作點(diǎn)的變化而變化。()22晶體管的環(huán)境溫度不變，其輸入電阻和放大倍數(shù)是固定不變的。()23當(dāng)晶體管的工作電流小于集電極最大允許電流，且UCE小于BUCEO時(shí)，晶體管就能安全工作。()24二極管的正向特性曲線較陡，因此能起到穩(wěn)壓作用。(√)25二極管電壓—電流曲線描繪出了電流隨時(shí)間變化的關(guān)系。()26當(dāng)加在二極管兩端的電壓一定時(shí)，流經(jīng)二極管的反向電流還會(huì)隨環(huán)境溫度的改變而改變。(√)311點(diǎn)接觸型二極管比較適用于(B)A大功率整

6、流B小信號(hào)檢波C大電流開(kāi)關(guān)12面接觸型二極管比較適用于(A)。A大功率整流B高頻檢波C小電流開(kāi)關(guān)13如果半導(dǎo)體中的自由電子和空穴的數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱為(C)半導(dǎo)體。AN型BP型C本征14當(dāng)硅二極管加上0.4V正向電壓時(shí)，該二極管相當(dāng)于(B)。A很小的電阻B很大的電阻C短路15二極管因所加過(guò)高反向電壓而擊穿、燒毀的現(xiàn)象稱為(C)。A齊納擊穿B雪崩擊穿C熱擊穿16對(duì)PN結(jié)加反偏電壓時(shí)，參與導(dǎo)電的是(B)。A多數(shù)載流子B少數(shù)載流子C既有

7、多數(shù)載流子，也有少數(shù)載流子17載流子從濃度大的地方向濃度小的地方運(yùn)動(dòng)稱為(B)。A漂移運(yùn)動(dòng)B擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)18兩個(gè)穩(wěn)壓值分別是8V、7.5V的穩(wěn)壓管用不同的方式串聯(lián)起來(lái)，最多可得到的穩(wěn)壓值是(C)。A二種B三種C四種D五種19NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別是(C)。A由兩種不同的材料硅和鍺制成B摻入的雜質(zhì)不同CP區(qū)和N區(qū)的位置不同D電流放大倍數(shù)不同20場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)改變(B)來(lái)控制漏極電流的。A柵極電流B柵源電壓C源極電壓D源極電流21二極管

8、中電流(B)，晶體管中從C極到E極的電流(A)，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流(C)。A穿過(guò)兩個(gè)PN結(jié)B穿過(guò)一個(gè)PN結(jié)C不穿過(guò)PN結(jié)D穿過(guò)三個(gè)PN結(jié)22用萬(wàn)用表紅表筆“十”接觸某正品晶體管的一只管腳，黑表筆“—”分別接觸另兩只管腳時(shí)，測(cè)得的電阻均較小，則說(shuō)明該晶體管是(B)。ANPN型BPNP型C不能確定A本征半導(dǎo)體BN型半導(dǎo)體CP型半導(dǎo)體23在摻雜半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的濃度取決于(B)。A溫度B雜質(zhì)濃度C原本征半導(dǎo)體的純度24PN結(jié)加上反向電壓時(shí)，