過(guò)程裝備制造與檢測(cè)課程設(shè)計(jì)

1、目錄1，制造背景.................................................................11.1多晶硅精餾塔簡(jiǎn).......................................................11.2原始數(shù)據(jù).............................................................21.3制造技術(shù)要求..

2、.......................................................32，筒體.....................................................................42.1筒體材料分析選擇.....................................................42.2筒體的結(jié)構(gòu)分析...............

3、........................................53筒體具體制造工藝.........................................................63.1筒體制造工藝過(guò)程.....................................................63.2材料進(jìn)廠檢測(cè)......................................

4、...................63.3鋼材的預(yù)處理.........................................................63.3.1，材料的凈化...................................................63.32矯形...........................................................73.3.

5、3，劃線.........................................................83.3.4號(hào)料（放樣）...................................................83.3.5標(biāo)記和標(biāo)記移植................................................113.3.6剪切下料........................

6、...............................113.4，簡(jiǎn)節(jié)的彎卷成形.....................................................123.4.1彎卷成型過(guò)程...................................................123.4.2鋼板彎卷的變形率、臨界變形率...................................123

7、.4.3鋼板彎卷的回彈估算.............................................133.4.4上輥總下壓量h.................................................133.4.5內(nèi)筒制造.......................................................143.5，筒節(jié)坡口加工與焊接..................

8、...............................163.5.1簡(jiǎn)體縱焊縫坡口加工.............................................173.5.2簡(jiǎn)體環(huán)焊縫坡口.................................................193.5.3焊接........................................................

9、..203.6，校圓...............................................................2121，制造背景，制造背景1.1多晶硅精餾塔簡(jiǎn)多晶硅精餾塔簡(jiǎn)多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的半導(dǎo)體材料。但微量的雜質(zhì)即可大

10、大影響其導(dǎo)電性。在電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等基礎(chǔ)材料。多晶硅是是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料，被稱為“微電子大廈的基石”。當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。其按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其

11、中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度已高于半導(dǎo)體多晶硅的速度，到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量已超過(guò)電子級(jí)多晶硅。目前多晶硅主要的生產(chǎn)技術(shù)有（改良）西門(mén)子法（三氯氫硅氫還原法），硅烷法(硅烷熱分解法)，流化床法。硅烷法是以四氯化硅氫化法、硅合金分解法、硅的直接氫化法等方法制取，硅烷氣提純后在熱分解爐中生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。硅烷法也有廢料，也是氯化物的提純

12、，工藝難度大，安全要求高，每一步都有轉(zhuǎn)化率，投資更大，以前只有日本小松掌握此技術(shù)，由于發(fā)生過(guò)嚴(yán)重的爆炸事故后，沒(méi)有繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)，使得硅烷法尚不能取代西門(mén)子法。流化床法是以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)高溫高壓下生成三氯氫硅，在將三氯氫硅進(jìn)一步歧化加氫生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。制得的硅烷氣通入加入小顆粒硅粉的流化床內(nèi)進(jìn)行連續(xù)熱分解，生成大顆粒多晶硅產(chǎn)品。在流化床內(nèi)參與反應(yīng)的硅面積大，生產(chǎn)效率高電耗低且成本低適用于大規(guī)