基于雙向可控硅的數(shù)顯式調(diào)功模塊設(shè)計-畢業(yè)設(shè)計

1、1目錄摘要：........................................................................................................................................................21前言..........................................................

2、..............................................................................................31.1研究目的和意義...................................................................................................................

3、......31.3主要研究內(nèi)容.............................................................................................................................62系統(tǒng)控制方案及原理....................................................................

4、.........................................................62.1系統(tǒng)控制方案選擇.....................................................................................................................62.1.1模擬方案一.......................

5、..............................................................................................62.1.2模擬方案二...................................................................................................................

6、..72.1.3數(shù)字PID線性控制.........................................................................................................72.2系統(tǒng)控制原理........................................................................................

7、.............................................82.2.1AT89C51單片機原理......................................................................................................92.2.2溫度檢測原理...........................................

8、....................................................................102.2.3雙向硅控制原理...........................................................................................................102.2.4液晶顯示報警..................

9、.............................................................................................113系統(tǒng)模塊硬件設(shè)計....................................................................................................................

10、...........113.1單片機芯片的選擇及電路設(shè)計.......................................................................................113.2溫度采集芯片的選擇及電路設(shè)計...................................................................................13

11、3.3顯示器的選擇及電路設(shè)計...............................................................................................143.4按鍵電路設(shè)計....................................................................................................

12、...............153.5報警電路設(shè)計...................................................................................................................163.6ROM擴展.....................................................................

13、.......................................................173.7雙向硅過零觸發(fā)以及調(diào)功電路設(shè)計...............................................................................184系統(tǒng)方案的設(shè)計........................................................

14、...........................................................................194.1軟件的總體設(shè)計.......................................................................................................................194.2初始化的流程圖設(shè)計

15、...............................................................................................................204.3溫度數(shù)據(jù)采集流程圖...............................................................................................

16、................214.4溫度設(shè)置及顯示流程圖...........................................................................................................214.5雙向硅控制加熱器及高溫報警流程圖.............................................................

17、......................215系統(tǒng)調(diào)試與運行...................................................................................................................................215.1調(diào)試結(jié)果................................................

18、...................................................................................215.2運行結(jié)果................................................................................................................................

19、...216結(jié)束語..................................................................................................................................................21參考文獻(xiàn)...........................................................

20、.........................................................................................21致謝...............................................................................................................................

21、.......................23附錄..................................................................313一個物體的冷熱程度。很多物理過程以及化學(xué)過程都與溫度聯(lián)系緊密。在許多工業(yè)生產(chǎn)中，溫度的測量精確度以及控制指標(biāo)都與實際生產(chǎn)效率、產(chǎn)品質(zhì)量、能源消耗緊密聯(lián)系。所以，溫度的測量和控制現(xiàn)今在很多領(lǐng)域備受重視。在實際環(huán)境中，由于很難控制系統(tǒng)內(nèi)外環(huán)境間的熱交換

22、，并且也無法精確計算其他熱源帶來的干擾，因此環(huán)境干擾帶來的溫度量的變化往往不可預(yù)測。所以，采取一定的絕熱手段來使系統(tǒng)與外界能量交換符合人們要求是有必要的。根據(jù)熱力學(xué)第二定律，如果采用一個隔離層，保證該隔離層溫度與目標(biāo)系統(tǒng)溫度同步，那么隔離層與目標(biāo)系統(tǒng)將達(dá)到熱平衡，這樣就把目標(biāo)系統(tǒng)和外界有效的進(jìn)行了熱隔離。除此之外，絕大多數(shù)實際環(huán)境中，增溫比降溫相對更容易得多。所以，當(dāng)對溫度精度要求很高時，應(yīng)當(dāng)盡量避免溫度過沖現(xiàn)象。因為很多實際應(yīng)用中，都

23、只有加熱裝置卻沒有溫度冷卻裝置，這種條件下溫度過沖后將很難降下來，尤其是一些隔熱效果比較好的環(huán)境。同理，只有冷卻卻沒有加熱裝置的應(yīng)用中，當(dāng)溫度過低于目標(biāo)溫度時，系統(tǒng)也將很難再次達(dá)到目標(biāo)溫度值。下面就溫度控制領(lǐng)域研究現(xiàn)狀以及雙向可控硅的發(fā)展進(jìn)行介紹。1.2國內(nèi)外研究現(xiàn)狀1.2.1溫度測控技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀溫度測控技術(shù)包含測量和控制這兩方面的技術(shù)。溫度的檢測技術(shù)在理論上已經(jīng)相對比較成熟，但在實際溫度測控中中，如何能夠快速采樣，保證數(shù)據(jù)完好正確傳輸

24、，并能進(jìn)行精確地溫度控制仍然是目前要解決的問題。溫度測量技術(shù)主要包含接觸式測溫和非接觸式測溫兩種技術(shù)手段。其中，接觸式測溫起源更早，具有簡單、可靠、精度高等優(yōu)點，但由于熱慣性導(dǎo)致所采用的檢測元件響應(yīng)時間長，所以實際中很難精確測量熱容量小的物體。并且該方法不適合用于超高溫和腐蝕性環(huán)境中的溫度測量。非接觸式測溫通過檢測被測對象所輻射出的能量來實現(xiàn)溫度測量的目的，優(yōu)點是可測量熱容量小的物體、以及運動的物體溫度，并且該方法動態(tài)響應(yīng)速度較快。確定