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文檔簡介
1、可控硅從上世紀50年代問世以來,經過近60年的發(fā)展已經在現(xiàn)代社會的生產和生活中扮演著越來越重要的角色:由于具有優(yōu)良的調頻、變速性能,可控硅被廣泛應用在工業(yè)生產;同時可控硅也被大量應用在漏電保護器、白色家電以及摩托車配件等消費電子領域。根據觸發(fā)電流的大小,可控硅被大致劃分為強觸發(fā)可控硅和微觸發(fā)可控硅兩大類。其中微觸發(fā)可控硅由于具有常溫下觸發(fā)電流小、柵極功耗低等優(yōu)點越來越受到市場的重視,但是微觸發(fā)可控硅的觸發(fā)電流受溫度影響較大,高溫下觸發(fā)電
2、流減小會帶來誤觸發(fā)的問題,嚴重時甚至會使可控硅處于長開狀態(tài),失去開關的作用;低溫下觸發(fā)電流增大會帶來觸發(fā)困難,柵極功耗增大的問題?;诖?,本文分別提出可以減小低溫環(huán)境和高溫環(huán)境下觸發(fā)電流溫度系數(shù)的方法,并且提供一種低溫度系數(shù)觸發(fā)電流的可控硅設計,旨在穩(wěn)定微觸發(fā)可控硅的觸發(fā)電流溫度系數(shù),使其在高溫下能穩(wěn)定工作,避免誤觸發(fā)等問題的發(fā)生。本設計的主要參數(shù)指標是:正反向耐壓均在800V以上,導通電壓小于2V,常溫下(25℃)的觸發(fā)電流小于100
3、μA,高溫下(80℃)觸發(fā)電流和常溫下觸發(fā)電流大小的比值大于0.5。
本研究主要內容包括:⑴介紹可控硅的觸發(fā)原理,從理論上分析觸發(fā)電流隨溫度變化的原因,分別提出能夠穩(wěn)定低溫和高溫下觸發(fā)電流溫度系數(shù)的方法。⑵對帶有多晶硅電阻條的可控硅結構進行工藝仿真,拉偏工藝參數(shù),優(yōu)化過后使仿真結果符合設計要求。確定各部分尺寸后進行版圖設計。⑶完成工藝仿真、版圖設計后進行流片實驗,流片完成后進行測試,測試結果:正向擊穿電壓為800V,反向擊穿電
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