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1、天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱科目編號(hào):0502科目名稱(chēng):半導(dǎo)體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導(dǎo)體物理為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課,考試總分為100分。半導(dǎo)體物理要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體物理的基本理論、基本概念和方法,為進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真,和集成電路設(shè)計(jì)等研究方向打下基礎(chǔ)。二、考試的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例考試內(nèi)容如下:(總
2、計(jì)100分)1、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu):半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí);2、半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布:包括熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布,本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射、強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子的概念半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系;4、非平衡載流子:非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí),愛(ài)因斯坦關(guān)系,一維穩(wěn)定擴(kuò)散,光激發(fā)載流子衰減
3、;5、pn結(jié):平衡與非平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖,pn結(jié)理想和非理想IV特性,pn結(jié)電容概念與擊穿機(jī)制,pn結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢(shì)壘二極管;6、半導(dǎo)體金-半接觸:功函數(shù)、親和勢(shì),阻擋層及反阻擋層,整流接觸,歐姆接觸;7、半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu):表面電場(chǎng)效應(yīng),平帶電壓,理想與實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)CV特性,MOS系統(tǒng)的性質(zhì)(固定電荷、可動(dòng)離子、界面態(tài)對(duì)CV特性的影響),表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響;8、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié):異質(zhì)結(jié)概念及基本異質(zhì)結(jié)的能帶圖;9、半導(dǎo)體
4、光學(xué)性質(zhì):半導(dǎo)體光吸收,半導(dǎo)體光電探測(cè)器半導(dǎo)體太陽(yáng)電池,半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用,半導(dǎo)體激光與應(yīng)用;10、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡(jiǎn)答題(40分)、綜合題(35分)。四、考試形式及時(shí)間四、考試形式及時(shí)間考試形式為筆試,時(shí)間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編,《半導(dǎo)體物理學(xué)》第七版,電子工業(yè)出版社2曹培棟編著,《微電
5、子技術(shù)基礎(chǔ)雙極、場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理》,電子工業(yè)出版社天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱科目編號(hào):0502科目名稱(chēng):半導(dǎo)體物理一、考試的總體要求一、考試的總體要求半導(dǎo)體物理為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課,考試總分為100分。半導(dǎo)體物理要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體物理的基本理論、基本概念和方法,為進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件理論研究、器件制備、工藝和器件仿真,和集成電路設(shè)計(jì)等研究方向打下基礎(chǔ)。二、考試
6、的內(nèi)容及比例二、考試的內(nèi)容及比例考試內(nèi)容如下:(總計(jì)100分)1、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu):半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級(jí);2、半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布:包括熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布,本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射、強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子的概念半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系;4、非平衡載流子:非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、準(zhǔn)費(fèi)米
7、能級(jí),愛(ài)因斯坦關(guān)系,一維穩(wěn)定擴(kuò)散,光激發(fā)載流子衰減;5、pn結(jié):平衡與非平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖,pn結(jié)理想和非理想IV特性,pn結(jié)電容概念與擊穿機(jī)制,pn結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢(shì)壘二極管;6、半導(dǎo)體金-半接觸:功函數(shù)、親和勢(shì),阻擋層及反阻擋層,整流接觸,歐姆接觸;7、半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu):表面電場(chǎng)效應(yīng),平帶電壓,理想與實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)CV特性,MOS系統(tǒng)的性質(zhì)(固定電荷、可動(dòng)離子、界面態(tài)對(duì)CV特性的影響),表面電場(chǎng)對(duì)pn結(jié)特性的影響;8、半導(dǎo)體
8、異質(zhì)結(jié):異質(zhì)結(jié)概念及基本異質(zhì)結(jié)的能帶圖;9、半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì):半導(dǎo)體光吸收,半導(dǎo)體光電探測(cè)器半導(dǎo)體太陽(yáng)電池,半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用,半導(dǎo)體激光與應(yīng)用;10、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用。三、試卷的題型及比例三、試卷的題型及比例考試題型包括名詞解釋(25分)、簡(jiǎn)答題(40分)、綜合題(35分)。四、考試形式及時(shí)間四、考試形式及時(shí)間考試形式為筆試,時(shí)間為100分鐘。五、主要參考教材五、主要參考教材1劉恩科等編,《半導(dǎo)體
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