錫林右軸承座組件工藝及夾具設(shè)計(jì)-英和文_doc.txt

1、外文翻譯資料分別制造MEMS傳感器和CMOS集成電路，然后，從各自的晶片切開，固定在一個(gè)共同的襯底上，并且，連線鍵合，這樣就實(shí)現(xiàn)兩者的集成，這就是所謂的混合（hybrid）方法。這種方法不會(huì)產(chǎn)生MEMS制造過程對(duì)CMOS電路的污染，同時(shí)，兩者生產(chǎn)過程互不干擾。但是，由于信號(hào)經(jīng)過鍵合點(diǎn)和引線，導(dǎo)致在高頻應(yīng)用時(shí)，信號(hào)傳輸質(zhì)量下降，并且，開發(fā)兩套生產(chǎn)線增加了產(chǎn)品的成本。為了解決一些性能問題，并降低制造成本，提出把MEMS部分做在和CMOS電路

2、同一塊襯底上，也就是產(chǎn)生了與CMOS工藝兼容單片集成MEMS技術(shù)或叫CMOSMEMS技術(shù)。這種方法相對(duì)混合方法總的來說有如下優(yōu)勢(shì)：第一，性能能得到很大的提高，因?yàn)榧纳娙莺痛當(dāng)_現(xiàn)象可以顯著減小；第二，混合方法需要復(fù)雜的封裝技術(shù)以減小傳感器接口的影響，而單片集成方法需要的封裝技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單，所以，降低傳感器成本；第三，單片集成傳感器技術(shù)也是陣列傳感器的需要，是克服陣列傳感器與外圍譯碼電路互連瓶頸的一種有效方法；第四，開發(fā)單片集成MEMS產(chǎn)品

3、比開發(fā)混合MEMS產(chǎn)品所需的時(shí)間短，而且，開發(fā)成本低。用CMOS本身已有結(jié)構(gòu)層作為MEMS結(jié)構(gòu)層。productionneedsofmicrostructureofhightemperaturebutat600tungsten℃siliconfmeasilyresponsebytheUniversityofBerkeleyintheContactsreleaseaTiNbarrierlayertoaddressthisproblem.M

4、ICSprocessisthebasicprocess:thecompletionoftungstenmetalCMOSprocessthedepositionof3001010nmlowtemperatureoxide(LTO)thenlowpressurechemicalvapdeposition2001010nmprotectionofthesiliconnitridefilmhasbeenproducedCMOScircuits

5、microstructurecrosionEndCMOScircuitcontactholeNo.1layerdepositionscenedopedpolysilicon(3501010)asCMOScircuitsmicrostructureofinterconnectionlinesintheabovedepositiontoaumPSGthickasasacrificiallayerthicknessdepositionof2u

6、mpolysiliconlayerstructure.No.2throughanotherlayerpolysilicondepositionofalayerof0.5umPSGaswellasnitrogenenvironmentinthe1000rapid℃thermalannealingf1minasastructuretoreducestresspolysiliconlayer.Finallythestructureofgrap

7、hicspolysiliconetchingoutitscrosionlayerbelowthesacrifices(PSG)fthereleaseofmicrostructure.術(shù)成功生產(chǎn)了數(shù)字微鏡設(shè)備（DMD）。技術(shù)革新主要表現(xiàn)在采用濺射鋁作為結(jié)構(gòu)層材料，并且，采用光致抗蝕劑作為犧牲層，這種低溫后處理使得已生產(chǎn)的下面SRAM單元不被破壞。蝕刻和金屬化法（singlecrystalreactiveetchingmetallizati

8、on，SCREAM）可用于制造，梁、橋這樣的結(jié)構(gòu)，甚至可以用單晶硅制造更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。這種方法始于制造完的CMOS電路硅片，首先，淀積一層覆蓋接觸孔的氧化硅，這層氧化物保護(hù)CMOS電路免受后面工藝影響，并通過反應(yīng)離子蝕刻（RIE）圖形化這層氧化物遮蔽層；然后，RIE蝕刻硅溝槽，深度可達(dá)到10um，氧化硅薄膜淀積下來，覆蓋在側(cè)面和水平面上。通過反應(yīng)離子蝕刻掉水平面上的氧化物，而使豎直面受到保護(hù)，第二次反應(yīng)離子蝕刻硅；最后，各向同性蝕刻硅，釋

9、放出懸浮的微結(jié)構(gòu)，同時(shí)，蝕刻接觸孔氧化物，并濺射金屬，這層金屬化淀積物使大縱橫比的粱變成電容性元素，用厚的抗蝕劑作掩蔽模圖形化金屬層。由于SCREAM的每一步均在低于300℃的溫度下進(jìn)行的，因此，是與CMOS電路兼容的。ammoniumhydroxidesolution(TMATH)ethylenediaminesolution(EDP).Fromwhathasbeendonethroughthebackofthesiliconwafe

10、rofsiliconcanbepittingtheclosureofthedielectricfilmtheneedfadefinitionofadditionalpatchmaskthesizeofthecommonlyusedcleisengravedonKOH.posuretosiliconsubstrateetchingagent.XeF2becausethatisnotetchedceramicnotplasticetchin