電力電子課后答案整理版

1、電力電子技術(shù)課后習(xí)題答案電力電子技術(shù)課后習(xí)題答案第2章電力電子器件電力電子器件1.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）。或：uAK0且uGK0。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近

2、于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。3.圖143中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im，試計算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。002?2?2????4?4?25?4a)b)c)圖1430圖143晶閘管導(dǎo)電波形解：a)Id1==()0.2717Imπ21?????4)(sinttdImπ2mI122??I1==0.4767Im??????42)

3、()sin(21tdtIm2mI?2143??b)Id2==()0.5434Imπ1?????4)(sinttdImπmI122??I2==0.898Im??????42)()sin(1tdtIm2mI?2123??c)Id3==0.25Imπ21?20)(??tdImI3==0.5Im?202)(21???tdIm4.上題中如果不考慮安全裕量問100A的晶閘管能送出的平均電流Id1、Id2、Id3各為多少？這時，相應(yīng)的電流最大值Im1

4、、Im2、Im3各為多少解：額定電流IT(AV)=100A的晶閘管，允許的電流有效值I=157A，由上題計算結(jié)果知a)Im1329.35，Id10.2717Im189.48?4767.0I???b)Im2232.90Id20.5434Im2126.56?6741.0I???c)Im3=2I=314Id3=Im3=78.541解：對IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點的比較如下表：器件優(yōu)點缺點IGBT開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，

5、具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小開關(guān)速度低于電力MOSFET電壓，電流容量不及GTOGTR耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題GTO電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低電力MOSFET開關(guān)速度

6、快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置第3章整流電路整流電路1.單相半波可控整流電路對電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng)α＝0?和60?時的負(fù)載電流Id，并畫出ud與id波形。解：α＝0?時，在電源電壓u2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時，負(fù)載電感L儲能，在晶閘管開始導(dǎo)通時刻，負(fù)載電流為零。在電源電壓u2的負(fù)半周期，負(fù)載