電力電子技術(shù)課后習(xí)題答案

1、目錄第1章電力電子器件?????????????????????????????????1第2章整流電路???????????????????????????????????4第3章直流斬波電路?????????????????????????????????20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路????????????????????????26第5章逆變電路???????????????????????????????????31

2、第6章PWM控制技術(shù)?????????????????????????????????35第7章軟開關(guān)技術(shù)??????????????????????????????????40第8章組合變流電路?????????????????????????????????422a)Im1329.35，Id10.2717Im189.48?4767.0I???b)Im2232.90Id20.5434Im2126.56?6741.0I???c)Im3=

3、2I=314Id3=Im3=78.5415.GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個晶體管V1、V2分別具有共基極電流增益和，由普通晶閘管的分析可得，=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。＞1，兩個等1?2?1?2?1?2?效晶體管過飽和而導(dǎo)通；＜1，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。1?2?GTO之所以能夠自行關(guān)斷，而普通晶閘管不能，是因為GT

4、O與普通晶閘管在設(shè)計和工藝方面有以下幾點不同：1)GTO在設(shè)計時較大，這樣晶體管V2控制靈敏，易于GTO關(guān)斷；2?2)GTO導(dǎo)通時的更接近于1，普通晶閘管1.15，而GTO則為1.05，1?2?1?2??1?2??GTO的飽和程度不深，接近于臨界飽和，這樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件；3)多元集成結(jié)構(gòu)使每個GTO元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。6.如何防止電

5、力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞？答：電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱，容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過20的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)?注意以下幾點：①一般在不用時將其三個電極短接；②裝配時人體、工作臺、電烙鐵必須接地，測試時所有儀器外殼必須接地；③電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高④漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。

6、7.IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動電路各有什么特點？答：IGBT驅(qū)動電路的特點是：驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻，IGBT是電壓驅(qū)動型器件，IGBT的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。GTR驅(qū)動電路的特點是：驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流有足夠陡的前沿，并有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗，關(guān)斷時，驅(qū)動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動電流，并加反偏截止電壓，以加速關(guān)斷速度。GTO驅(qū)動電路的特點是：GTO要求其驅(qū)動電路提