通用存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)研究.pdf

1、論文是研制通用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SEU、SEL測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試對(duì)象選擇我國(guó)航天科研單位較為常用的三種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：SRAM、EEPROM、FLASH。系統(tǒng)采用虛擬技術(shù)和Lab VIEW圖形化編程語(yǔ)言來(lái)設(shè)計(jì)；通過(guò)分析翻轉(zhuǎn)前后數(shù)據(jù)的內(nèi)在關(guān)系，提出了一種基于單向數(shù)據(jù)流的判定算法；根據(jù)NI PXI-6541、PXI-6602的通道可重定義功能，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)器的地址通道、數(shù)據(jù)通道、控制通道可重定義和測(cè)試區(qū)域的任意指定，從而擴(kuò)展了系統(tǒng)的測(cè)試容量和測(cè)試類(lèi)型。<

2、br>　　 系統(tǒng)的功能是檢測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元位狀態(tài)變化和存儲(chǔ)器工作電流的變化，在線記錄測(cè)試結(jié)果，自動(dòng)控制束流快門(mén)的開(kāi)關(guān)，自動(dòng)切換芯片的電源，自動(dòng)選擇測(cè)試對(duì)象，對(duì)特殊芯片可自動(dòng)生成采樣波形和產(chǎn)生波形，特殊功能引腳可進(jìn)行重定義；提供兩種測(cè)試模式：改寫(xiě)模式和非改寫(xiě)模式；提供兩種閂鎖處理方式：延時(shí)方式和降壓方式。
　　 系統(tǒng)在北京HI-13串列加速器單離子效應(yīng)專用裝置上進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)時(shí)采用35cl10,14+粒子對(duì)TC58256F