4注入效率與電流放大系數(shù)

1、3.3.4 注入效率與電流放大系數(shù),已知從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子電流為：,類似地可得從基區(qū)注入發(fā)射區(qū)的空穴電流為：,上式中：,1）注入效率,,,于是可得緩變基區(qū)晶體管的注入效率為：,2）電流放大系數(shù)：,3） 小電流時 的下降,實測表明， 與發(fā)射極電流 IE 有如下圖所示的關(guān)系。,上式中：,原因：發(fā)射結(jié)正向電流很小時，發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)復合電流 JrE 的比例增大，使注入效率下降。當 JrE 不能被忽略時有：,當電流很小，即 VBE

2、很小時， 很大，使 很小，從而 很小。,隨著電流的增大， 減小，當 但仍不能被忽略時，有：,當電流很大時， 又會開始下降，這是由于大注入效應(yīng)和基區(qū)擴展效應(yīng)引起的。,當電流繼續(xù)增大到 可以被忽略時，則有：,4）重摻雜的影響,重摻雜效應(yīng)：當 NE 太高時，不但不能提高注入效率 ，反而會使其下降，從而使 和 下降。

3、 原因：發(fā)射區(qū)禁帶寬度變窄 與 俄歇復合增強。,對于室溫下的 Si ：,(1) 禁帶變窄,,,,,,,,,,,,,,,,,,,發(fā)射區(qū)禁帶變窄后，會使其本征載流子濃度 ni 發(fā)生變化：,發(fā)射區(qū)禁帶變窄,,發(fā)射區(qū)本征載流子濃度增加,,基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入的電流增加,注入效率減小,而先增大。但當 NE 超過 后， 反而下降，,當NE 增大時，

4、 減小， 增加， 隨NE 增大,,從而導致 與 的下降。,(2) 俄歇復合增強,5）異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）,上式中， ，當 時， ， 則 ：,選擇不同的材料來制作發(fā)射區(qū)與基區(qū)，使兩區(qū)具有不同的禁帶寬度，則