模擬電子技術(shù)總結(jié)復(fù)習(xí)資料

1、半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元

2、素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。7.PN結(jié)PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。PN結(jié)的導(dǎo)通電壓硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。8.PN結(jié)的伏安特性二.半導(dǎo)體二極管單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂?。二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。正向?qū)▔航倒韫?.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。死區(qū)電壓硅管0.5V，鍺

3、管0.1V。3.分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽(yáng)V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)若V陽(yáng)V陰(反偏)，二極管截止(開路)。1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)1.類型分為NPN和PNP兩種。2.特點(diǎn)基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)2.