sdram與內(nèi)存基礎(chǔ)概念

1、1SDRAM與內(nèi)存基礎(chǔ)概念與內(nèi)存基礎(chǔ)概念一、一、SDRAMSDRAM內(nèi)存模組與基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存模組與基本結(jié)構(gòu)我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現(xiàn)，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。PC133時代的168pinSDRAMDIMM1、物理物理BankBank傳統(tǒng)內(nèi)存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內(nèi)所需要的數(shù)據(jù)。而CPU在一個傳輸周期能接受的數(shù)據(jù)容量就是CPU數(shù)據(jù)總線的

2、位寬，單位是bit（位）。當時控制內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的北橋芯片也因此將內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)位寬等同于CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank（PhysicalBank，下文簡稱PBank）的位寬。所以，那時的內(nèi)存必須要組織成PBank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應(yīng)該還記得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pinSIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數(shù)據(jù)

3、總線的需要。直到168pinSDRAMDIMM上市后，才可以使用一條內(nèi)存開機。下面將通過芯片位寬的講述來進一步解釋PBank的概念。3CS），理論上可以控制4個PBank的芯片集合。只是由于某種原因而沒有這么去做。比如設(shè)計難度、制造成本、芯片組的配合等。至于DIMM的面數(shù)與PBank數(shù)量的關(guān)系，在2001年2月的專題中已經(jīng)明確了，面數(shù)≠PBank數(shù)，只有在知道芯片位寬的情況下，才能確定PBank的數(shù)量，大度256MB內(nèi)存就是明顯一例，而

4、這種情況在Registered模組中非常普遍。有關(guān)內(nèi)存模組的設(shè)計，將在后面的相關(guān)章節(jié)中繼續(xù)探討。二、二、SDRAMSDRAM內(nèi)存芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)內(nèi)存芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1、邏輯、邏輯BankBank與芯片位寬與芯片位寬講完SDRAM的外在形式，就該深入了解SDRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)了。這里主要的概念就是邏輯Bank。簡單地說，SDRAM的內(nèi)部是一個存儲陣列。因為如果是管道式存儲（就如排隊買票），就很難做到隨機訪問了。陣列就如同表格一樣，將數(shù)據(jù)“填”進

5、去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。對于內(nèi)存，這個單元格可稱為存儲單元那么這個表格（存儲陣列）叫什么呢？它就是邏輯Bank（LogicalBank，下文簡稱LBank）。由于技術(shù)、成本等原因，不可能只做一個全容量的LBank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，單一的LBank將會造成非常嚴重的

6、尋址沖突，大幅降低內(nèi)存效率（在后文中將詳細講述）。所以人們在SDRAM內(nèi)部分割成多個LBank，較早以前是兩個，目前基本都是4個，這也是SDRAM規(guī)范中的最高LBank數(shù)量。到了RDRAM則最多達到了32個，在最新DDRⅡ的標準中，LBank的數(shù)量也提高到了8個。這樣，在進行尋址時就要先確定是哪個LBank，然后再在這個選定的LBank中選擇相應(yīng)的行與列進行尋址。可見對內(nèi)存的訪問，一次只能是一個LBank工作，而每次與北橋交換的數(shù)據(jù)就是