《模擬電路》(童詩白第四版)習(xí)題解答（附答案）

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測題與習(xí)題解答自測題與習(xí)題解答山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院3第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。(√)(

2、4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()(5)結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點(diǎn)。(√)GSR(6)若耗盡型N溝道MOS管的大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。()GSU二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(l)PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將A。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓