模電(第四版)習題解答

1、第1章常用半導體器件常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。()(5)結(jié)型場效應管外加的柵一源電壓應使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點。

2、(√)GSR(6)若耗盡型N溝道MOS管的大于零，則其輸入電阻會明顯變小。()GSU二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(l)PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將A。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3)當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有A、C。A

3、.結(jié)型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管三、寫出圖Tl.3所示各電路的輸出電壓值，設二極管導通電壓UD=0.7V。3T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)解：解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如表Tl.6最后一欄所示。習題習題1.1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導體中加入(A)元素可形成N型半導體，加入(C)元素可形成P型半導體。A.五價B.四價C.三

4、價(2)當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.不變C.減小(3)工作在放大區(qū)的某三極管，如果當IB從12uA增大到22uA時，IC從lmA變?yōu)?mA，那么它的β約為(C)。A.83B.91C.100(4)當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時它的低頻跨導gm將(A)。A.增大；B.不變；C.減小1.2電路如圖P1.2所示，已知(V)，試畫出與的波形。設二10siniut??iuou極管導通電壓可忽略不計。圖P