電氣設(shè)備局部放電檢測(cè)技術(shù)述評(píng)

1、電氣設(shè)備局部放電檢測(cè)技術(shù)述評(píng)電氣設(shè)備局部放電檢測(cè)技術(shù)述評(píng)局部放電(partialdisgePD簡(jiǎn)稱局放)是絕緣介質(zhì)中局部區(qū)域擊穿導(dǎo)致的放電現(xiàn)象。與擊穿或者閃絡(luò)不同局部放電是絕緣局部區(qū)域的微小擊穿是絕緣劣化的初始現(xiàn)象[12]。電氣設(shè)備絕緣材料多為有機(jī)材料如變壓器油、絕緣紙、環(huán)氧等。通常電氣設(shè)備絕緣體所承受的電場(chǎng)分布是不均勻的而電介質(zhì)本身通常也是不均勻的如氣體固體復(fù)合絕緣、液體固體復(fù)合絕緣等。即使是單一的絕緣介質(zhì)在制造、運(yùn)行過(guò)程中也會(huì)在介質(zhì)

2、內(nèi)部出現(xiàn)氣泡、雜質(zhì)等其他物質(zhì)這就導(dǎo)致了在絕緣介質(zhì)內(nèi)部或表面會(huì)出現(xiàn)高場(chǎng)強(qiáng)區(qū)域一旦這些區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng)高到足以引起該區(qū)域的局部擊穿就會(huì)出現(xiàn)局部區(qū)域的放電而此時(shí)其他區(qū)域仍會(huì)保持良好的絕緣性能這就形成了局部放電。它可能產(chǎn)生在固體絕緣孔隙中、液體絕緣氣泡中或不同介電特性的絕緣層間。如果電場(chǎng)強(qiáng)度高于介質(zhì)所具有的特定值也可能發(fā)生在液體或固體絕緣中。局部放電不會(huì)立即導(dǎo)致絕緣整體的擊穿但其對(duì)絕緣介質(zhì)的危害異常嚴(yán)重。一旦介質(zhì)中出現(xiàn)局部放電通過(guò)對(duì)其周圍絕緣介質(zhì)不斷

3、侵蝕最終會(huì)導(dǎo)致整個(gè)絕緣系統(tǒng)的失效。局部放電是造成絕緣劣化的主要原因也是絕緣劣化的重要征兆和表現(xiàn)形式與絕緣材料的劣化和絕緣體的擊穿過(guò)程密切相關(guān)能有效地反映設(shè)備內(nèi)部絕緣的潛伏性缺陷和故障尤其對(duì)突發(fā)性故障的早期發(fā)現(xiàn)比介損測(cè)量、色譜分析等方法要有效得多[34]。絕緣介質(zhì)中局部放電現(xiàn)象的研究已經(jīng)有了近80年的歷史[5]。眾多研究者通過(guò)試驗(yàn)研究、理論分析、物理建模等方法研究了局部放電的1局部放電的檢測(cè)技術(shù)局部放電的檢測(cè)技術(shù)電氣設(shè)備的局部放電測(cè)量會(huì)在

4、設(shè)備出廠、現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)及設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中進(jìn)行對(duì)檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確分析需要局部放電的強(qiáng)度、模式及定位3方面信息的準(zhǔn)確獲得。檢測(cè)技術(shù)是局部放電分析的基礎(chǔ)模式識(shí)別給出了導(dǎo)致發(fā)生局放的原因及類型定位則給出了局放源的準(zhǔn)確位置而局部放電的強(qiáng)度則給出了當(dāng)前局部放電活動(dòng)的劇烈程度這3方面信息的結(jié)合才能進(jìn)行介質(zhì)絕緣狀態(tài)的合理準(zhǔn)確評(píng)估。局部放電的檢測(cè)技術(shù)一直以來(lái)都是局部放電研究領(lǐng)域的重點(diǎn)目前常用的方法主要有以下幾種。1.11.1脈沖電流法脈沖電流法脈沖電流法是目前唯

5、一有國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的局部放電檢測(cè)方法[9]它是通過(guò)獲取測(cè)量阻抗在耦合電容側(cè)或通過(guò)Rogowski線圈從電力設(shè)備的中性點(diǎn)或接地點(diǎn)測(cè)取由于局部放電所引起的脈沖電流可以獲得諸如視在放電量、放電相位、放電頻次等信息。傳統(tǒng)的脈沖電流法可分為寬帶和窄帶測(cè)量2種寬帶檢測(cè)法的下限檢測(cè)頻率為30~100kHz之間上限檢測(cè)頻率500kHz檢測(cè)頻帶寬度為100~400kHz其具有脈沖分辨率高、信息相對(duì)豐富的優(yōu)點(diǎn)但信噪比低。窄帶檢測(cè)法的頻帶寬度較小一般為9~30kH