高電壓第四章整理資料

1、第四章第四章電氣設(shè)備絕緣預(yù)防性試驗電氣設(shè)備絕緣預(yù)防性試驗1.絕緣試驗的分類絕緣試驗的分類：按照對設(shè)備造成的影響程度分類（兩類）非破壞性試驗，非破壞性試驗，亦稱絕緣特性試驗：在較低電壓下或用其它不會損傷絕緣的方法測量絕緣的各種情況，從而判斷絕緣內(nèi)部的缺陷包含的種類：絕緣電阻試驗、介質(zhì)損耗角正切試驗、局部放電試驗、絕緣油的氣相色譜分析等破壞性試驗破壞性試驗，即耐壓試驗：以高于設(shè)備的正常運行電壓來考核設(shè)備的電壓耐受能力和絕緣水平。耐壓試驗對絕

2、緣的考驗嚴格，能保證絕緣具有一定的絕緣水平或裕度；缺點可能在試驗時給絕緣造成一定的損傷包含的種類：交流耐壓試驗、直流耐壓試驗、雷電沖擊耐壓試驗及操作沖擊耐壓試驗2.絕緣預(yù)防性試驗的目的是什么？絕緣預(yù)防性試驗的目的是什么？絕緣故障大多因內(nèi)部存在缺陷而引起，我們通過測量電氣特性的變化來發(fā)現(xiàn)隱藏著的缺陷。絕緣缺陷類型集中性缺陷：裂縫、局部破損、氣泡等分散性缺陷：內(nèi)絕緣受潮、老化、變質(zhì)等3.絕緣性能的三個指標：絕緣性能的三個指標：①絕緣電阻絕緣

3、電阻：（最基本的綜合性特性參數(shù)。）組合絕緣和層式結(jié)構(gòu)，在直流電壓下均有明顯得吸收現(xiàn)象，使外電路中有一個隨時間而衰減的吸收電流。②吸收比吸收比：檢驗絕緣是否嚴重受潮或存在局部缺陷。③泄漏電流泄漏電流：所加直流電壓高得多。4.看圖分析絕緣性能及原因？看圖分析絕緣性能及原因？?吸收電流吸收電流圖1吸收和泄漏電流及絕緣電阻的變化曲線?taeRRRRCCCRCRUi?????212122121122)()()(通過吸收電流能發(fā)現(xiàn)絕緣材料中的局部性

4、缺陷。當(dāng)絕緣嚴重受潮或出現(xiàn)導(dǎo)電性缺陷時，阻值R1、R2或兩者之和顯著減小，Ig大大增加，而Ia迅速衰減。8.西林電橋的基本原理西林電橋的基本原理西林電橋：高壓臂：高壓臂：被測試品的等值電容和電阻分別為CX和RX用Z1表示；無損耗的標準電容C0，它以阻抗Z2作為代表。低壓臂：低壓臂：處在橋箱體內(nèi)的可調(diào)無感電阻R3，以Z3來代表；無感電阻R4和可調(diào)電容C4的并聯(lián)，以Z4來代表電橋平衡：電橋平衡：檢流計G檢零在交流電壓U的作用下，調(diào)節(jié)R3和C

5、4，使電橋達到平衡，即通過檢流計P的電流為零電橋的平衡條件：電橋的平衡條件：Z1Z3=Z2Z4介質(zhì)損耗角的正切tgδ=ωR4C4試品電容CX=CNR4[R3(1tg2δ)]=CNR4R3雜散電容的影響雜散電容的影響：高壓引線與低壓臂之間有電場的影響，可以看作其間有雜散電容Cs。由于低壓臂的電位很低，Cx和C0的電容量很小，如C0一般只有50?100pF，雜散電容Cs的引入，會產(chǎn)生測量誤差。若附近另有高壓源，其間的雜散電容Cs1會引入干擾

6、電流iS，也會造成測量誤差所以需要屏蔽，消除雜散電容的影響9.tgδ測量的影響因素測量的影響因素（1）外界電磁場的干擾）外界電磁場的干擾?有磁場干擾和電場干擾兩種①磁場干擾指外界磁場對電橋的感應(yīng)所造成的干擾②電場干擾指外界帶電部分通過與電橋臂的電容耦合?減少電場干擾的措施：加設(shè)屏蔽、采用移相電源、采用倒相法（2）溫度的影響）溫度的影響（3）試驗電壓的影響）試驗電壓的影響（4）電氣設(shè)備電容量的影響）電氣設(shè)備電容量的影響（5）設(shè)備表面泄漏的