dpa簡(jiǎn)介

1、軍用電子元器件破壞性物理分析方法（軍用電子元器件破壞性物理分析方法（DPA）簡(jiǎn)介電子元器件電子元器件在電子線路或電子設(shè)備中執(zhí)行電氣、電子、電磁、機(jī)電和光電功能的基本單元.該基本單元可由多個(gè)零件組成，通常不破壞是不能將其分解的.破壞性物理分析破壞性物理分析destructivephysicalanalysis(DPA)為驗(yàn)證元器件設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求，對(duì)元器件樣品進(jìn)行解剖，以及在解剖前后進(jìn)行一系列檢驗(yàn)

2、和分析的全過(guò)程。方法方法通過(guò)微觀物理手段確定產(chǎn)品質(zhì)量的一種分析方法。目的目的驗(yàn)證電子元器件設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求。根據(jù)DPA的結(jié)果促使生產(chǎn)廠改進(jìn)工藝和加強(qiáng)質(zhì)量控制，使使用者最終能得到滿足使用要求的元器件。批次性缺陷批次性缺陷在設(shè)計(jì)、制造過(guò)程中造成的，在同一批元器件中反復(fù)出現(xiàn)的缺陷。如：表面沾污、鈍化層、金屬化層缺陷等?？珊Y選缺陷可篩選缺陷可用有效的非破壞性的檢驗(yàn)方法篩選剔除的缺陷。DPA檢驗(yàn)的提出檢驗(yàn)

3、的提出產(chǎn)品規(guī)范中規(guī)定，使用者，生產(chǎn)者、監(jiān)督機(jī)構(gòu)，上級(jí)主管?？勺们檫M(jìn)行可酌情進(jìn)行DPA試驗(yàn)的元器件試驗(yàn)的元器件：1.電阻器；2.電容器；3.敏感元器件和傳感器；4.濾波器；5.開關(guān)；6.電連接器；7.繼電器；8.線圈和變壓器；9.石英晶體和壓電元件；10.半導(dǎo)體分立器件；11.半導(dǎo)體集成電路；12.混合集成電路；13.光電器件；14.聲表面波器件，等等。DPA試驗(yàn)依據(jù)：試驗(yàn)依據(jù)：根據(jù)不同的元器件類型選擇不同的試驗(yàn)項(xiàng)目和標(biāo)準(zhǔn)。主要標(biāo)準(zhǔn)如下：

4、GJB179—逐批檢驗(yàn)計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表；GJB4027軍用電子元器件破壞性物理分析方法；GJB548微電子器件試驗(yàn)方法和程序；GJB360電子和電氣元器件試驗(yàn)方法；GJB128半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法；接（粘接）空洞等內(nèi)部缺陷。但難以檢查鋁絲的狀況，該項(xiàng)檢驗(yàn)是非破壞性的。粒子碰撞噪聲檢測(cè)粒子碰撞噪聲檢測(cè)（PIND試驗(yàn)）試驗(yàn)）檢查器件封裝腔體內(nèi)有無(wú)可動(dòng)的多余物。PIND是非破壞性的。如不合格可通過(guò)對(duì)整批器件進(jìn)行針對(duì)性篩選剔除有缺陷的器件

5、。密封試驗(yàn)密封試驗(yàn)檢查密封器件的封裝質(zhì)量是否符合要求。如不合格可通過(guò)對(duì)整批器件進(jìn)行針對(duì)性篩選剔除有缺陷的器件。該項(xiàng)檢驗(yàn)是非破壞性的。內(nèi)部氣氛分析內(nèi)部氣氛分析定量檢測(cè)密封器件封裝內(nèi)部的水汽含量。內(nèi)部水汽含量超標(biāo)一般是批次性的。該項(xiàng)檢驗(yàn)是破壞性的。內(nèi)部目檢內(nèi)部目檢檢查器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)、材料和生產(chǎn)工藝是否符合相關(guān)的要求。該項(xiàng)對(duì)元器件的開封技術(shù)與檢查技術(shù)均要求較高。檢出缺陷是否批次性，需對(duì)缺陷的種類認(rèn)真分析后才能確定整批器件可否使用。掃描電子顯微鏡

6、（掃描電子顯微鏡（SEM）檢查）檢查主要用于判斷器件芯片表面互連金屬化層的質(zhì)量，可確定器件某些需確認(rèn)部分的材料成分和對(duì)多余物的成分分析。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)檢驗(yàn)器件內(nèi)引線的鍵合強(qiáng)度是否符合規(guī)定的要求。鍵合強(qiáng)度退化往往是批次性的，出現(xiàn)“零克力”的批次一般不可使用。該項(xiàng)檢驗(yàn)是破壞性的。剪切強(qiáng)度試驗(yàn)剪切強(qiáng)度試驗(yàn)檢驗(yàn)半導(dǎo)體芯片或表面安裝的無(wú)源元件附著在管座或其它基片上所使用的材料和工藝的完整性。剪切強(qiáng)度不合格常有批次性傾斜。該項(xiàng)檢驗(yàn)是破壞性