廢棄熒光燈管處理過程中含汞廢氣處理技術研究.pdf

1、本文通過研發(fā)設計脈沖低溫等離子體電源研發(fā)和反應器設計，進行低溫等離子體處理含汞廢氣的實驗研究，重點研究了電源參數（放電頻率、放電電壓）、煙氣在反應器中的停留時間對單質汞氧化率的影響，同時研究了模擬煙氣中 O2含量、HC l添加量對脫汞效果的影響，并以此分析脈沖低溫等離子體脫汞技術的作用機理，并應用于廢棄熒光燈管回收資源化處置工程應用中。
　　實驗研究結果表明：1）放電電壓高于8KV時，等離子體對單質汞有明顯氧化效果，且電壓越高，處

2、理效果越好，但高電壓下容易被擊穿；而隨著放電頻率的增加，單質汞濃度迅速下降；峰值電壓9KV、放電頻率400Hz時氧化效果最經濟。2）隨著單質汞初始濃度增加，處理效率先增后減，Hg0初始濃度為253.4μg/m3時，Hg0氧化效率最高。3）停留時間越長，反應越充分，停留時間高于7s時，氧化率達到91.65%。4）O2、HCl單組分對單質汞氧化有促進作用。O2的效果相比于HCl明顯。0%O2/0% Cl2氛圍的氧化率為0，20%O2/0pp