27239.cdte納米粒子的結(jié)構(gòu)和ag吸附理論研究

1、獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作和取得的研究成果除了文中特別加以標(biāo)注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得叁洼王些太鱟或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意學(xué)位論文作者簽名：碑臻簽字日期：汐仃年虧月，胡學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解墨壅墨些太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定特授

2、權(quán)蓋連墨些太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編以供查閱和借閱同意學(xué)校向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說明)學(xué)位論文儲(chǔ)簽名：’凌簽字日期：弘曠年弓月，p日導(dǎo)師簽名：貓紕么簽字日期：2群埤；月，媚摘要II—VI族化合物半導(dǎo)體納米團(tuán)簇CdTe，由于其獨(dú)特的光電特性而備受關(guān)注。但目前大多數(shù)研究都局限在小的(CdTe)。(n_1～8)納米團(tuán)

3、簇。本文采用密度泛函理論(DFT)的第一性原理，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，態(tài)密度以及電子軌道分布分析了Cdl3Tel3核殼納米團(tuán)簇的Ag吸附，Cdl3Tej3Ag團(tuán)簇。首先，對(duì)未摻雜，較大的(CdTe)。(n=1624)納米團(tuán)簇籠狀結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，電子特性等性質(zhì)進(jìn)行了理論模擬計(jì)算。研究結(jié)果顯示，該籠狀納米團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及電學(xué)穩(wěn)定性隨納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)而變化，其能帶隙隨納米團(tuán)簇的大小而變化，呈現(xiàn)典型的量子點(diǎn)的特性。通過研究，我們選取結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高的Cdl3T

4、e3核殼納米團(tuán)簇作為研究對(duì)象，應(yīng)用態(tài)密度泛函理論研究Cdl3Tel3核殼納米團(tuán)簇的Ag吸附。所有可能吸附的位均進(jìn)行了考慮，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，得到了八個(gè)穩(wěn)定的同分異構(gòu)體，分別為Ag吸附在橋位和面位。由這些結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及吸附能的研究發(fā)現(xiàn)Ag吸附在六圓環(huán)面的中心位置是最佳吸附位。電子特性，態(tài)密度和電子密度分布的分析發(fā)現(xiàn)，不同于Ag摻雜中Ag作為替代雜質(zhì)，Ag吸附在原Cdl3Te3核殼結(jié)構(gòu)中的禁帶內(nèi)引入兩個(gè)不同自旋的深能級(jí)，受主能級(jí)。且受主能級(jí)和費(fèi)