21599.纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對(duì)alxga1xngan量子阱中電子遷移率的影響

1、學(xué)校代碼：10126分類(lèi)號(hào)：——論文題目學(xué)號(hào)：三12壘魚(yú)Q12編號(hào)：——纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對(duì)AkGal捌／GaN量子阱中電子遷移率的影響學(xué)院：物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院專(zhuān)業(yè)：物理學(xué)研究方向：凝聚態(tài)理論姓名：蔣丹丹指導(dǎo)教師：班士良教授2015年4月30日纖鋅礦體橫光學(xué)聲子雙模性對(duì)AkGal喵N／7GaN量子阱中電子遷移率的影響摘要本文基于介電連續(xù)模型和單軸模型，采用雷丁平衡方程，討論有限深量子阱中界面聲子和局域聲子對(duì)電子的散射作用重點(diǎn)討論室

2、溫下，纖鋅礦AkGal咱N中體橫光學(xué)聲子的雙模性對(duì)Al—Gal捌GaN量子阱中電子遷移率的影響研究發(fā)現(xiàn)，若計(jì)入體橫光學(xué)聲子的雙模性，則局域光學(xué)聲子對(duì)電子遷移率的貢獻(xiàn)隨著Al組分x的增加而逐漸增強(qiáng)，但是，反對(duì)稱(chēng)界面聲子的貢獻(xiàn)則隨著x的增加而先增后減，此外，對(duì)稱(chēng)界面聲子的貢獻(xiàn)持續(xù)降低同時(shí)，在合適的異質(zhì)結(jié)組分x范圍內(nèi)，對(duì)稱(chēng)界面聲子始終對(duì)電子的散射起主要作用，在各支聲子的共同作用下，總電子遷移率隨x增大呈現(xiàn)先減后增的趨勢(shì)與忽略雙模性的結(jié)果對(duì)比，