版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、目錄摘要。lAbstract2引言3第一章C語言模型的載入與計算511C語言模型的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與類型512C語言模型與仿真軟件的契合613小結(jié)7第二章vA格式模型的載入與計算921VA格式模型的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與類型922VA格式模型的行為描述語句塊1023vA格式模型與仿真軟件的契合12第三章Bsim45VA模型的輸入處理1431輸入數(shù)據(jù)初始化1432幾何參數(shù)加權(quán)1533溫度效應(yīng)計算l534輸入數(shù)據(jù)檢查17第四章Bsim45VA模型的輸出計算18
2、41確定端口偏置1842計算支路電流1943加載端口電荷2044運算模型噪聲2045返回輸出數(shù)據(jù)21第五章Bsim43升級到Bsim4521第六章Bsim45VA模型的比較驗證2261模型驗證工具和方法。2262單一器件電路驗證2363反相器鏈電路與振蕩器環(huán)電路驗證2764四位進位加法器電路驗證2965比較驗證結(jié)論30第七章總結(jié)3l附錄32參考文獻42致射43AbstractBsim45isamosfetmodel,whichisdes
3、cribedinClanguage,andisusedfortransistorlevelcircuitsimulationToconvertitintovAform。cansimplifYtheinputoutputdataprocessbetweenthesimulatorandthemodel,andunifytheinterfacefunctionsbetweenthesetwoTheBsim45Clanguagemodelco
4、ntainstwotypesofinterfacedata,themodelparametersinputdata,theoutputdataofcurrentsandcapacitances,andtwotypesofinterfacefunctiongroups,theparametersinputinterfacefunctiongroups,theevaluationoutputinterfacefunctiongroupsBy
5、convertingthesetwotypesofdataandtwotypesofinterfacefunctiongroupsintoyAform,withoutchanginganycoreformulaevaluationsinsidethemodel,thispaperhasimplementedtheconversionfromBsim45CmodelintoVAmoduleMeanwhile,thispaperhasals
6、esearchedthemethodthatupdatingBsim4。3朋moduleinto45。basedonthecurrentmatureBsim4。3蹦module,andaccordingbythedifferentbetween45and43Thecomparisontestingis,usingHSPICEasthesimulatorfortesting,loadingbothCmodelandVAmoduleofBs
7、im45,alongwithVAmoduleofmatureBsim43,tuntestingnetlistsThetestingnetlistsinclude,singlemosfetcircuit,inverterchaincircuit,oscillatorcircuit,fourbitscarriedaddercircuitBycomparingthetestresultsofthesemodels,theaccuracyand
8、theperformanceofVAmodelcanapproachthoseofCmodel,andexactlymatchtothoseof43VAmoduleTherefore,theBSIM45VAmoduledevelopedinthispaperhasimplementedtheconversionfromCmodelTheimprovementandoptimizationofvAmodel,alongwithitsusa
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 場效應(yīng)管和mos管的區(qū)別
- mos場效應(yīng)管的開關(guān)特性
- 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管).doc
- 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管).doc
- 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管).doc
- 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管).doc
- 0.13μmcmos工藝射頻mos場效應(yīng)管建模
- 亞微米MOS器件的熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 超深亞微米MOS器件RTS噪聲研究.pdf
- 場效應(yīng)管的測量
- 場效應(yīng)管參數(shù)含義
- SOI上雙極壓控MOS場效應(yīng)管的研究.pdf
- 亞微米級MOSFET器件模型分析及BSIM模型參數(shù)提取.pdf
- 場效應(yīng)管電機驅(qū)動
- 微波場效應(yīng)管非線性模型的研究.pdf
- 深亞微米槽柵MOS器件的理論及實驗研究.pdf
- 深亞微米MOS器件熱載流子可靠性的物理建模.pdf
- 深亞微米LDD MOSFET器件熱載流子效應(yīng)研究.pdf
- 場效應(yīng)管(fet)的工作原理總結(jié)
- 高壓場效應(yīng)管的建模.pdf
評論
0/150
提交評論