ZnO壓敏電阻的低溫?zé)Y(jié)及晶界電性能研究.pdf

1、ZnO 壓敏電阻具有優(yōu)良的非線性，較強(qiáng)的抗浪涌能力和很好的工作穩(wěn)定性，是壓敏電阻系列中最常用的一種。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，片式壓敏電阻和疊層壓敏電阻在電力電子等不同領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)要求壓敏電阻能在低溫?zé)Y(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)低壓化。本文在大量文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，嘗試研究較低壓敏場(chǎng)強(qiáng)下低溫?zé)Y(jié)的實(shí)現(xiàn)。
　　 本文研究的主要內(nèi)容包括：
　　 討論了壓敏電阻V-I特性，ZnO 壓敏電阻的常見(jiàn)組分及作用，燒結(jié)后陶瓷中的相成分

2、，摻雜物的添加對(duì)于壓敏電阻性能的影響。添加改性添加劑，觀察WO3、Cr2O3、Ni2O3、Nb2O5、SiO2、H3BO3、SnO2、CaCO3、ZnC2O4和3Zn（OH）22ZnCO3 摻雜及摻雜量對(duì)于電性能的影響，得到0.1mol%H3BO3 摻雜的八元系ZnO 壓敏電阻配方。其在1000 ℃燒結(jié)時(shí)，E1mA=56V/mm，α=29.6，漏流為0.2 μA。
　　 討論了低溫?zé)Y(jié)的機(jī)理及實(shí)現(xiàn)途徑，研究了三種玻璃的摻雜對(duì)于Z

3、nO 壓敏電阻電性能的影響，根據(jù)其微觀結(jié)構(gòu)及相組成，討論了各種玻璃摻雜及不同摻雜量的作用。
　　 得到了電性能較好的摻玻璃配方。研究了ZBG 摻雜的ZnO 晶粒生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，得到摻玻璃后ZnO 晶粒生長(zhǎng)指數(shù)在1050 ℃以下近似為5，激活能為320KJ/mol；在大于1050℃燒結(jié)時(shí)生長(zhǎng)指數(shù)近似為3，激活能約為240KJ/mol。
　　 探討Mn，Co的添加在ZnO 壓敏電阻中的作用。得到不同添加量的Mn、Co對(duì)于電性能的