高電壓梯度ZnO壓敏電阻器.pdf

1、制備高電位梯度ZnO壓敏電阻器是近年來壓敏電阻研究的主要方向。在元件的實際使用中，必然要求元件能量吸收能力同比于電位梯度提高。因此保證元件其它電學(xué)性能不惡化的前提下，如何同時提高元件電位梯度和能量吸收能力是我們研究的重點。 ZnO壓敏電阻器單位厚度上的晶粒和晶界數(shù)量越多，其電位梯度就越高，因此電阻片晶粒細(xì)小化是提高電位梯度的重要途徑。提高元件微觀組成結(jié)構(gòu)的均勻一致性是提高元件能量吸收能力的關(guān)鍵。 首先研究了在傳統(tǒng)的Zn

2、O固相配方的基礎(chǔ)上添加了稀土元素(Nd2O3)對元件電壓梯度和能量吸收能力的影響。結(jié)果表明：Nd2O3的引入不僅細(xì)化了晶粒，使元件壓敏電壓大幅提高，而且使晶粒的尺寸分布更加均勻，在一定程度上有利于元件能量吸收能力的提高。 其次采用化學(xué)共沉淀法制備ZnO固相配方中的主要添加劑?；瘜W(xué)共沉淀法能夠獲得顆粒細(xì)小、比表面積大、活性高、顆粒大小分布均勻、各主要成分均勻混合的復(fù)合納米級粉體，是提高元件的電學(xué)性能基礎(chǔ)。元件的電性能測試表明：一、