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文檔簡介
1、PIN型硅半導體探測器以其優(yōu)異的抗輻照性能在核物理實驗研究中具有廣泛的應用。但所有半導體探測器在受高能粒子輻射時,都會在半導體材料中產(chǎn)生各種輻射損傷缺陷,對探測器的性能產(chǎn)生不利的影響,如:分辨率下降,正反向電阻的下降,漏電流增大,非線性度增加等。 本文主要針對一種新型的PIN硅半導體探測器的相關物理性質開展一系列理論和實驗的研究。實驗研究了各種粒子對半導體探測器的輻射損傷機理;討論了輻射損傷的微觀缺陷影響探測器宏觀的電參數(shù)的機理
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