SOI-CMOS兼容橫向PIN近紅外鍺硅光探測器的研究.pdf

1、該論文結(jié)合國內(nèi)外最新研究動態(tài),根據(jù)80年代中期發(fā)展起來的應(yīng)變SiGe/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格理論,在分析總結(jié)國內(nèi)外有關(guān)臺面型縱向pin結(jié)構(gòu)應(yīng)變SiGe/Si多量子阱光電探測器研究成果基礎(chǔ)上,首次提出將應(yīng)變SiGe/Si材料特性、Fabry-Perot諧振腔光場增強(qiáng)吸引效應(yīng)和pin光電探測器原理等有機(jī)結(jié)合在一起,利用UHV/CVD鍺硅外延工藝和CMOS工藝流水在SOI襯底上制作與SOI/CMOS具有良好兼容性的橫向pin結(jié)構(gòu)鍺硅近紅外光電探

2、測器,設(shè)計了合理的版圖和工藝步驟,通過工藝流水,成功制作出具有預(yù)期特性的管芯.該論文還從半導(dǎo)體基本方程和應(yīng)變Si<,1-x>Ge<,x>/Si材料特性出發(fā),提出了器件的工作原理,在合理近似基礎(chǔ)上,得出了器件特性參數(shù)的解析表達(dá)式,證明了器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)和有效性.為了驗(yàn)證、補(bǔ)充實(shí)驗(yàn)和理論分析結(jié)果,用SILVACO半導(dǎo)體器件模擬軟件,對結(jié)構(gòu)和工藝數(shù)據(jù)對器件性能的影響進(jìn)行了模擬分析,獲得了與理論和實(shí)驗(yàn)相一致的結(jié)果,為進(jìn)一步深入研究提供了指導(dǎo)和參考