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文檔簡介
1、隨著無線通信的發(fā)展,對單片集成的多標準和多頻段的收發(fā)機芯片的需求在不斷地增長。相比于第三代移動通信(The Third Generation Mobile Communication,3G)和無線局域網(wǎng)(Wireless Local Area Network,WLAN),第四代移動通信技術(International Mobile Communications-Advanced, IMT-Advanced)可以提供更高的移動通信數(shù)據(jù)傳輸
2、速率,而超寬帶技術(Ultra-wideband,UWB)可以在無線局域通信中提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率,并具有低成本和低功耗的優(yōu)點。因此,IMT-Advanced和UWB技術的集成是未來移動通信終端的可能發(fā)展趨勢之一。
本文主要闡述了應用于IMT-Advanced和UWB系統(tǒng)的雙頻帶CMOS電感電容壓控振蕩器的設計與實現(xiàn)過程。
基于TSMC0.13μm CMOS工藝,雙頻帶電感電容壓控振蕩器的設計采用了開關電流
3、源、開關交叉耦合對和噪聲濾波等技術,以優(yōu)化電路的相位噪聲等性能。后仿真結果表明,在1.2V電源電壓下,兩個頻段的消耗電流分別為3mA和4.5mA。壓控振蕩器的調(diào)諧范圍為3.86~5.28GHz和3.14~3.88GHz,在振蕩頻率4.8GHz和3.6GHz上,1MHz頻偏處的相位噪聲分別為-117dBc/Hz與-120dBc/Hz。
本文還采用SMIC0.13μmCMOS工藝設計了一種正交壓控振蕩器。設計采用MOS管串聯(lián)耦
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