記憶元件及其在電力電子軟開關(guān)中的應(yīng)用.pdf

1、最近幾年提出的記憶元件是對經(jīng)典電路理論的再一次擴(kuò)充，它包括憶阻器、憶容器和憶感器這三種具有記憶特性的新型元器件。這三種器件都體現(xiàn)出獨特的非線性器件特性，其對應(yīng)的v-i曲線、q-v曲線和i-φ曲線的狀態(tài)特性取決于該器件的歷史狀態(tài)。因此，記憶元件憑借其獨特的性質(zhì)，在非線性科學(xué)、計算機(jī)存儲、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域引起新的研究熱潮。為了便于記憶元件在電力電子領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用研究，需要建立其模擬模型以到達(dá)仿真和實驗要求，并以此為基礎(chǔ)為記憶元件在電力電子電

2、路中進(jìn)一步的探討、應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。
　　本文主要針對記憶元件及其在電力電子軟開關(guān)中的應(yīng)用進(jìn)行了研究，工作的主要內(nèi)容包括以下幾個方面:
　　(1)構(gòu)造荷控型浮地憶阻器和磁控型浮地憶阻器的仿真電路結(jié)構(gòu)，研究其電路特性，并在Multisim上進(jìn)行電路模擬仿真和實物電路實驗。在浮地憶阻器的基礎(chǔ)上設(shè)計了憶阻器—憶容器、憶阻器—憶感器模型轉(zhuǎn)換的模擬電路，并對這兩個轉(zhuǎn)換模型進(jìn)行了電路仿真。
　　(2)設(shè)計了基于憶阻器的新型緩沖電路。通