透明導電薄膜CdIn-,2-O-,4-的研究和高速光電探測器頻響的測量.pdf

1、本文包含兩部分內容： (一)透明導電薄膜CdIn2O4薄膜光電特性的研究采用射頻反應濺射Cd-In靶在玻璃襯底上制備CdIn2O4(CIO)薄膜。理論上闡述了CIO薄膜的導電機理，分析了熱處理前后氧空位、摻雜點缺陷和富氧電子陷阱在影響膜的載流子濃度和電子散射中所起的重要作用。同時，分析了高濃度的點缺陷對CIO氧化物薄膜的能帶結構產生的重要影響，這些影響主要體現在帶尾的形成，Burstein-Moss(B-M)漂移和帶隙收縮。

2、 為了制備低電阻率、高透射率的大面積CIO薄膜，分別研究了濺射氧濃度和沉積襯底溫度對CIO薄膜光電特性的影響。通過對薄膜的霍爾效應，Seebeck效應的測量，得到了薄膜的電學參數。通過對CIO薄膜的光譜進行研究，得到了薄膜在紫外、可見和紅外區(qū)域的光學特性。大量的實驗數據分析表明，CIO薄膜的帶隙收縮效應對其光學帶隙影響很大。為了獲得準確的薄膜光學帶隙，本文使用擬合法代替外推法確定薄膜的光學帶隙。實驗表明，當襯底溫度T=280℃，氧分

3、壓為8％左右時，制備的CIO氧化物薄膜擁有最佳導電性和透光性。 (二)高速光電探測器超寬帶頻率響應測量技術的研究利用光的相干特性測量高速光電探測器(諸如GaAs、InGaAs等半導體光電二極管)超寬帶頻率響應(光外差寬帶頻率響應測量技術)，分別使用了雙激光器技術、單激光器技術和自發(fā)輻射技術測量高速光電探測器響應帶寬。 在論文中，重點研究了單激光器測量頻響的技術，對實驗封裝的三段可調分布布拉格反射(DBR)激光器進行了深入