基于Cell的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究.pdf

1、集成電路的集成度在最近的幾十年一直遵守著摩爾定律，以每18個(gè)月翻一番的速度不斷增加，芯片的特征尺寸也隨之不斷縮小，集成電路制造工藝越來(lái)越精細(xì)，這給設(shè)計(jì)和制造等一系列領(lǐng)域提出了許多新的要求，也帶來(lái)了許多深刻的變化，這其中包括RET(分辨率增強(qiáng)技術(shù))的廣泛應(yīng)用。隨著集成電路的特征尺寸逐漸下降到光刻所用的光源波長(zhǎng)之下，由于光的衍射和光刻膠顯影蝕刻等因素帶來(lái)的不可避免的影響，硅片上實(shí)際印制出來(lái)的圖形與設(shè)計(jì)圖形不再一致，這使得如今的制造工藝已經(jīng)離

2、不開(kāi)RET技術(shù)的支持，而OPC(光學(xué)鄰近效應(yīng)校正)則是RET技術(shù)中的一項(xiàng)重要內(nèi)容。 盡管OPC技術(shù)的廣泛應(yīng)用使得如今的光刻技術(shù)能夠印制的圖形越來(lái)越精細(xì)，然而在進(jìn)入到90nm時(shí)代以后，OPC校正的運(yùn)算時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，靈活性不高，難以利用版圖的層次化結(jié)構(gòu)等問(wèn)題逐漸暴露出來(lái)，成為了制約集成電路制造技術(shù)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)重要瓶頸。 本文提出了一種新的基于Cell的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其流程包括預(yù)校正單元庫(kù)的準(zhǔn)備，掩模圖形偏移量的初始化和

3、利用動(dòng)態(tài)調(diào)整算法進(jìn)行快速運(yùn)算等步驟，這種新的方法較好的解決了OPC過(guò)程中圖形間的相互影響問(wèn)題，并提出了一種新的方法(Segment-Moving Map)來(lái)直觀的分析這種影響波及的范圍和形狀，從而充分的利用版圖的層次化結(jié)構(gòu)，使在深亞微米條件下由于計(jì)算量太大而被認(rèn)為成本很高的高精度掩模版制備過(guò)程在新算法的幫助之下得以大大降低運(yùn)算復(fù)雜度，減少OPC校正所消耗的時(shí)間，同時(shí)，這種方法為集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程提供了含預(yù)校正結(jié)果的單元庫(kù)，使得設(shè)計(jì)工程師能