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文檔簡介
1、隨著電子設(shè)備的不斷小型化、輕量化,微電子或者微機電系統(tǒng)等產(chǎn)品尺寸都已進(jìn)入微米甚至納米級。由器件微型化帶來的不同于傳統(tǒng)大尺寸的許多特殊加工工藝和性能已成為電子行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的首要問題。如在MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)器件制備的后道封裝過程最常用的共晶鍵合,傳統(tǒng)的整體加熱通常會使得MEMS器件和襯底受到較大的熱作用,殘余熱應(yīng)力大或鍵合處擴散顯著,導(dǎo)致芯片開裂或使MEMS器件中的一些特殊材料失效。
2、而電磁感應(yīng)加熱方法因具有三維選擇性快速加熱等特點,能夠較好的解決上述整體加熱帶來的可靠性問題。
本課題研究的目的在于使用數(shù)值模擬的方法分析電磁感應(yīng)加熱過程中的金屬薄膜溫度場變化特點和加熱機理,得到微尺度金屬薄膜溫度場的各種影響因子,為感應(yīng)加熱鍵合的實際應(yīng)用提供理論依據(jù)。
本課題通過分析感應(yīng)加熱鍵合的加熱原理和技術(shù)特點,建立了合理的金屬薄膜電磁感應(yīng)加熱的有限元模型,并在模型中考慮了尺寸效應(yīng)對加熱影響的特殊性。實際模擬了
3、金屬薄膜尺寸的變化、相對位置的變化、磁場參數(shù)的變化等情況下,其感應(yīng)加熱電磁場以及溫度場的變化,并做了大量的驗證試驗與模擬結(jié)果相互擬合優(yōu)化。通過對這些結(jié)果的分析,探討微尺度下的金屬薄膜感應(yīng)加熱的原理和特殊性,得到其尺寸效應(yīng)在電磁感應(yīng)加熱過程中的表現(xiàn)。
研究表明,在影響金屬薄膜感應(yīng)加熱溫度的各種因素中,薄膜的任意一個三維方向尺寸的減少、膜表面法向與磁場方向夾角的增大以及感應(yīng)電流的頻率下降都會導(dǎo)致加熱溫度的下降。結(jié)果還表明薄膜器件在
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