低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機(jī)理.pdf

1、山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文論文題目低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機(jī)理學(xué)科專業(yè)名稱申請(qǐng)人姓名指導(dǎo)教師論文提交時(shí)間植物學(xué)田海霞楊德奎教授2007年4月10目出東濰范大學(xué)碩士學(xué)位論文低溫弱光條件下黃瓜的光抑制機(jī)理摘要分別以低溫(4℃)弱光(100Immlm五s1)和根部低溫(4℃)、地上部常溫(25。C)、弱光(100I|molm之s1)處理黃瓜嫁接苗和黃瓜自根苗，并在第0、2、4、6和8h測(cè)定葉綠素?zé)晒鈪?shù)、PSI的820nm光吸收和RuBPCa

2、se的活性等生理指標(biāo)。目的是了解低溫弱光脅迫對(duì)黃瓜的光抑制機(jī)理。主要結(jié)果如下。1低溫弱光脅迫對(duì)黃瓜的光抑制低溫弱光脅迫下，黃瓜嫁接苗和黃瓜自根苗的Fv／Fm、Fo、巾PSn、E1R、Fv，／Fm’、qP等熒光參數(shù)都隨著脅迫時(shí)間的延長(zhǎng)而逐漸下降，而NPQ卻逐漸升高。這表明低溫弱光脅追下黃瓜的PSII反應(yīng)中心發(fā)生了光抑制。至脅迫8h時(shí)，黃瓜嫁接苗的Fv／Fm、由PSII、ETR、qP等明顯高于黃瓜自根苗(Po05)，說明黃瓜嫁接苗的PSII

3、比黃瓜自根苗有較強(qiáng)的抗低溫弱光能力。隨著脅迫時(shí)間的延長(zhǎng)，黃瓜嫁接苗、黃瓜自根苗的氧化態(tài)P700都降低，說明低溫弱光脅迫對(duì)二者的PSI都有抑制作用。各處理期間黃瓜嫁接苗和黃瓜自根菌都有顯著的差異(Poos)。說明黃瓜自根苗的PSI比黃瓜嫁接苗對(duì)低溫弱光更敏感。mlBPCase隨脅迫時(shí)間的延長(zhǎng)均呈下降趨勢(shì)，說明低溫弱光處理抑制了RuBPCase的活性。處理期間黃瓜嫁接苗明顯高于黃瓜自根菌，差異極顯著(PO01)，說明黃瓜嫁接苗RuBPCas

4、e也較黃瓜自根苗對(duì)低溫弱光有較高的抗性。低溫弱光處理下，隨著脅迫時(shí)間的延長(zhǎng)，黃瓜嫁接苗、黃瓜自根苗的SOD活性先升高又降低。脅迫結(jié)束時(shí)，黃瓜嫁接苗SOD活性明顯高于黃瓜自根苗(P005)。由此可見，保護(hù)酶活性的增強(qiáng)也是黃瓜嫁接苗比黃瓜自根茁更耐低溫弱光的原因之一?？傊蜏厝豕饷{迫下PsII反應(yīng)中心的活性降低(F、忭Ⅱ1)，PSII的電子傳遞受阻(母PSll)，但并未破壞PsⅡ作用中心(Fo)。同時(shí)也對(duì)黃瓜的PsI產(chǎn)生光抑制作用，RuB

5、PCase活性的降低，說明光合暗反應(yīng)也受到影響。脅迫結(jié)束時(shí)，黃瓜嫁接苗Fv／Fm、氧化態(tài)P700活性、RuBPCase活性與脅迫前相比分別下降了152％、373％、636％，這說明碳同化在低溫弱光脅迫下受到的影響最大。2根部低溫弱光脅迫對(duì)黃瓜的光抑制根部低溫弱光脅迫下，F(xiàn)v／Fm、Fv’／Fm’、氧化態(tài)P700在脅迫初期(2h)無明顯變化，而巾PSII、ETR、qP卻明顯升高，說明脅迫初期對(duì)黃瓜并沒有產(chǎn)生抑制作用，這可能是因?yàn)楦康蜏孛{