BiSb2-xSe3薄膜的SILAR法制備及表征.pdf

1、分類號(hào)號(hào)UDCCC學(xué)號(hào)號(hào)號(hào)矛矯襯，去軍碩士學(xué)位論文Bi、Sb:一、Se:薄膜的SILAR法制備及表征(題目和副題)陳多金(作者姓名)學(xué)科名稱:材料物理與化學(xué)學(xué)科門類:工學(xué)指導(dǎo)教師:雷天民申請(qǐng)日期:2006.3摘要BixsbZ一xse。薄膜的S工LAR法制備及表征學(xué)科:材料物理與化學(xué)研究方向:碩士生:導(dǎo)師:答辯日期:新型半導(dǎo)體薄膜材料價(jià)冬金粉即、教授)漢刃了，子.對(duì)摘要BiZSe3和SbZSe3以其材料本身所具有的特點(diǎn)，分別在光電子器件、

2、熱電冷凝裝置和光信息存儲(chǔ)等方面己顯示出其優(yōu)越性。本文采用SILAR法行之有效的將BiZse3和sbZse3各自的材料特點(diǎn)有機(jī)地結(jié)合起來，制備方法制備出BixsbZxse3三元固溶體半導(dǎo)體材料。通過多次試驗(yàn)探索出一種獨(dú)創(chuàng)的膜厚試驗(yàn)簡易裝置，利用該裝置在不同工藝條件和參數(shù)下制備出大量BixsbZ_xse3薄膜樣品，并采用電子探針、xRD、XPS、SEM、AFM、紫外可見分光光度計(jì)等測試手段對(duì)所得樣品的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、薄膜組成以及禁帶寬度

3、等進(jìn)行了表征分析，得出如下結(jié)論:(1)以載波片為襯底，在室溫條件下，用slLAR法成功地制備出結(jié)構(gòu)均勻、致密、附著力強(qiáng)且具有金屬光澤地BixsbZ_xsc3薄膜樣品。初步得到了適合BixsbZ_xse3薄膜生長地優(yōu)化工藝參數(shù):用Bi(N03)3印H值為6一6.5)和qH4KO7Sb印H值為7.5一8)作為分離的陽離子前驅(qū)溶液，NaZso3和se粉合成NaZseso3作陰離子前驅(qū)溶液印H值為8一8.5)。陰離子前驅(qū)溶液中浸泡時(shí)間為50秒，

4、陰離子前驅(qū)溶液浸泡時(shí)間為40秒，去離子水沖洗時(shí)間為30秒。(2)三乙醇胺能夠有效的控制反應(yīng)速度，它為均勻、致密、附著力強(qiáng)的薄膜生長提供了保障循環(huán)周期能夠方便的控制薄膜厚度，在0.01mol八的Bi(NO3)3、0.lmol八的q風(fēng)KO7Sb分別于0.01mol八和0.lmol月的NaZSeSO3進(jìn)行100一150個(gè)循環(huán)后，BixsbZ一xse3薄膜的厚度可達(dá)到r.5一2.伽m。歸)測試結(jié)果表明:BixsbZ一xse3薄膜樣品的導(dǎo)電類型為