氟硅酸鹽玻璃起泡缺陷的改進性研究.pdf

1、氟硅酸鹽玻璃FSG是低k電介質(zhì)材料，其結(jié)構(gòu)最接近我們最熟悉SiO2。氟元素的介入在材料中使介電常數(shù)更低，但是這也正是氟化物整合問題，因為眾所周知的氟化反應非常不穩(wěn)定而且易于與其它化合物發(fā)生反應。常見的含氟氧化硅材料制造是用PE-CVD(等離子體增強化學氣相沉積)方法從酸乙酯(TEOS-based)反應液中獲取，或是用硅烷(SIH4)與SiF4在高密度等離子體沉積條件下反應得到的．我們選擇了在0.18微米技術(shù)下的酸乙酯(TEOS-base

2、d)氟硅酸鹽玻璃FSG作為研究對象。 通過介紹氟硅酸鹽玻璃FSG的發(fā)展，性質(zhì)和形成的原理，以及0.18微米以下超大規(guī)模集成電路后段制造金屬互聯(lián)技術(shù)要求用更低電阻率金屬以及更低介電常數(shù)的絕緣材料，說明氟硅酸鹽玻璃FSG作為半導體材料在超大規(guī)模集成電路制造上的廣泛應用．并且由于氟化反應非常不穩(wěn)定而且易于與其它化合物發(fā)生反應通過在實際應用中出現(xiàn)的一些問題，引出氟硅酸鹽玻璃FSG在0.18微米的制程中出現(xiàn)氣泡問題，針對這樣的問題我們是怎

3、幺樣去分析處理，通過應用對比法，層別法，魚骨圖，以及劣化試驗的手法，一步一步抽絲撥繭，找出真因的。并且進一步采取方法改良制程工藝，提高產(chǎn)品良率的。 這篇論文基于的在真實生產(chǎn)過程中所遇到的問題，和處理問題時運用一些方法論，通過大量的真實數(shù)據(jù)和對比試驗，導出氟硅酸鹽玻璃FSG的特性和應用方式，這個對于不同制程處理和解決問題的都有一定的指導意義。通過這樣的分析我們更加明確的了解半導體制程工藝的問題處理手段，并且更加的明確氟硅酸鹽玻璃F